中国长鑫存儲自主研发 LPDDR5 完成

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中国DRAM生产厂家长鑫存儲(CXMT)近日公布,已经完成LPDDR5 DRAM记忆体芯片的自主研发,并开始量产,这一消息在韩国业界引起不小的震动。如果这一消息属实,那么这就意味着在DRAM技术上,中国已经仅落后韩国三星四年。

 

长鑫存儲最近在其官网上宣布,已研发出中国首款 LPDDR5 DRAM记忆体芯片,并即将推出包括12GB LPDDR5、POP封装的12GB LPDDR5及DSC封装的6GB LPDDR5等一系列产品。该产品代表最新一代的低功耗 DRAM(Low-Power DDR5 DRAM),相比上一代 LPDDR4X,新一代 LPDDR5 的容量和速度提高了50%,容量最高可以达到 12GB,数据传输速度达到 6,400Mbps,同时功耗降低了30%。

 

长鑫存儲已经制定计划,大幅提升产品的整体性能,以此快速提升在市场中的占有率。特别地,长鑫的 LPDDR5产品已在小米、传音等中国主要手机厂商机型上进行过验证,因此目前正在全力加速市场推广工作。

 

实际上,韩国三星已经在2019年7月率先在行业内宣布,成功量产了12GB LPDDR5 DRAM产品,之后的2020年2月,美光开始供应6GB、8GB以及12GB内存容量的LPDDR5 DRAM。SK海力士则是于2021年8月宣布开始量产18GB LPDDR5 DRAM产品。对比这些时间点,长鑫存儲与国际大厂之间的技术落差约为四年。

 

然而,在产品量产方面,长鑫存儲与三星等竞争对手仍存在很大的差距。市场研究公司DRAMeXchange的数据显示,全球DRAM市场在2023年第二季度增长了11.9%,达到了106.75亿美元,其中,三星、SK海力士、美光这三家厂商的市场份额已经超过了95%。因此,目前长鑫存儲的产品对市场的影响力尚属微乎其微。

 

长鑫存儲成立于2016年,其主营业务为DRAM的设计、研发、生产与销售,业务遍及合肥与北京的12英寸晶圆厂。然而在2022年10月,美国将长鑫存儲列入了出口管制名单,对其发展带来了一定的影响。

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