MOS管防反接电路

 

一、使用MOS管防反接的理由

电池供电产品中, 防止电池反接是必需考虑的，最简单、最低成本的方案：在电源输入中串一个二极管。 但是，二极管有0.7V左右的压降, 3.3V过去后只有2.6左右了! 而且，这个0.7V的压降，本身是有功耗的，会增加电池的电量消耗，如果使用在7.4V左右的电压上，二极管本身的发热问题就比较严重。实际产品中，更常见的是通过MOS管来进行电池防反接。MOS管特性 ="0压降"+"大电流"。电压控制导通， 极少的电流损耗，且负载电流比二极管更大。

 

下面是理解图例：

 

二、实际应用原理图：

1：网上常见方案，是使用N-MOS管， 因为N管的可选型号、替换型号比P管的数量要多很多。如常用的N管Si2302，仅需0.1元，性能杠杠的！

 

2：更实用的方案，使用P-MOS管。P管可以0V导通，N管的Vgs要大于阀值电压才能导通。P管隔离的是正极，N管隔离的是负极。通过上面两点得知，使用P管作防反接，效果比N管更好！注意：在栅极串连一个10K电阻，防止在电源反接时，MOS管烧坏。下面这图，从某开发板中截取。增加两个元件，防止输入反接发生，保护了开发板、锂电池。