光电探测器的性能指标主要由量子效率、响应度、光电流,暗电流和噪声等指标组成:
1、量子效率:
2、响应度
定义为光电探测器产生光电流与入射光功率比,单位通常为 A/W。响应度与量子效率的大小有关,为量子效率的外在体现。响应度R:
3、暗电流和噪声
光电流指在入射光照射下光电探测器所产生的光生电流,暗电流可以定义为没有光入射的情况下探测器存在的漏电流。其大小影响着光接收机的灵敏度大小,是探测器的主要指标之一。
暗电流主要包括以下几种 :
①耗尽区中边界的少子扩散电流;②载流子的产生-复合电流,通过在加工中消除硅材料的晶格缺陷,可以有效减小载流子的产生-复合电流;③表面泄漏电流,在制造工艺结束时,对芯片表面进行钝化处理,可以将表面漏电流降低。
当然,暗电流也受探测器工作温度和偏置电压的影响。 探测器的暗电流与噪声是分不开的 ,通常光电探测器的噪声主要分为暗电流噪声、散粒噪声和热噪声。
4、光功率与光子数的关系:
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