TB5128HG-EVB 测试板说明

（图 1）

图1中 蓝色电位器调整输出电流。LED1是Mo指示灯，状态指示，非输出反馈。

信号输入端J2:（部分信号端加上拉电阻，3.3V或者5V的信号源可以直连，板上做了兼容处理，参考拓展应用文档）

GND：信号地输入端

ST： 待机信号输入（测试时可以空着不接，板上已经接上拉）

CLK：步进脉冲信号输入端。（一个脉冲走一步，脉冲的频率决定步进电机的转动速度）

DIR： 步进方向信号输入端。(对应芯片的CW/CCW引脚)

EN： 使能信号输入端。（对应芯片的ENABLE引脚，低电平时关闭芯片的功率输出）

Mo： 电角监视引脚，开漏输出。（对应每4个整步，Mo拉低一次）

逻辑控制信号：高电平大于2V，低电平小于0.8V。具体请参考芯片文档。

电机绕组连接：

⑴A+：连接电机绕组A相。⑵A-：连接电机绕组A相

⑶B+：连接电机绕组B相。⑷B-：连接电机绕组B相。

步进电机绕组引线并无正负之分，接入驱动时注意区分不同绕组。另外，要改变电机的初始启动方

向时，调换其中一个绕组的接线。比如把A+与A-的接线交换，就能改变电机的初始启动方向。

工作电压的连接：

⑴VM： 连接直流电源正。(推荐工作电压范围10～42V)

⑵GND：连接直流电源负。

TB5128HG 芯片是采用内部采样模式，外部不需要再接功率采样电阻。内部采样模式时的电流计算：

  平均电流小于计算值，原因是该IC 采用峰值电流检测法。所以不要用电源端检测的电流值与设置的电流值比较。

SEL拔码开关（图2）：

细分设置，板上参数表格，注意M0与M1的顺序

M0: 励磁模式设置输入端（细分设置端DMODE0）

M1: 励磁模式设置输入端（细分设置端DMODE1）

M2: 励磁模式设置输入端（细分设置端DMODE2）

图2

图4

图3

应用中要注意的，如图 3、图 4 中，DIR 方向线路连接到芯片 CW/CCW 间串入了电阻

R4 和并联了 C11 电容。厂家建议一定要在 CW/CCW 脚对地并上小电容。这样 PCB 设计

更简单，也能避免部分应用中出现失步的现象。R4 是为了保护控制端的端口，比如像 MCU

类的编程芯片，避免 C11 对控制芯片的影响。阻值范围 100~1000 欧左右，控制芯片是低

功耗类，R4 选择大一些的阻值。若是光耦输出到驱动芯片，R16 可以考虑省掉。在 PCB 设计中，要注意 C11 的接地端与芯片的 12 脚 GND 要优先最短化连接。尤其

是两层板，若外围器件较多或者空间有限，布线处理受影响，要特别优先考虑 C11 接地端

与芯片 12 脚 GND 的连线最短化处理。或者像图 3 中那样，区分信号地和功率地，分别独

立布线回路，汇通点放在大容量滤波电容接地端。只有这样 C11 才起作用，让芯片发挥出

应有的性能。C11 的电容值可以根据测试效果来相应调整。

芯片的 VCC 端是内部稳压端引出，用于外接滤波电容（0.1uF~1uF）。外部电路要用

芯片的 VCC 供电时，建议 VCC 的输出电流不要超过 10mA。如果外部有 5V 稳压电源，

原则上不建议与芯片的 VCC 引脚直接连接。因为两个稳压电路输出有压差时，可能会有

影响。不管芯片外围线路是否用内部 VCC 供电，芯片的 VCC 端都必须加上滤波小电容。

评估板的应用电路，部分需要上拉到 VCC 端，都是用了 27K 左右的电阻，主要是为

了降低 VCC 端的消耗电流。实际应用中，根据产品的应用环境考虑，外围干扰较强的，

建议选择外部稳压电源作为芯片外围逻辑电源，OSCM 部分建议用芯片内部的 5V 稳压电

源供电。文档中的 OSCM 频率计算公式是在 5V 电源才对应。OSCM 若是接 3.3V，频率可

能会明显偏差，或者导致其它问题，这点要注意。

关于 PCB 设计方面， RSA、RSB 是接地到滤波电解电容接地端，这段线路是大电流

线路，大于 1A 的应用电流，要考虑这部分的线径的影响，注意最窄部分的线径，不能单

纯看到有部分线径足够大，就当成这段线径都够大。像 RSA、RSB、A+、A-、B+、B-、

VM 这些都是大电流线路，如果需要层间切换布线的，在放置过孔时建议要多放几个，以

降低布线带来的阻抗。

关于步进电机的速度方面，在空载启动速度大于 60 转时，建议做加减速控制，以免避

启动堵转或者丢步。带载的则要具体测试。加减速控制，可以避免突然启动、停止对电机

和驱动部分的冲击，同时也可以带来很好的驱动效果。比如缓启、缓停。具体的可以网络

可以到我的资料库下载相关资料了解，有任何问题私信