MOS管在DC-DC变换器中的应用

描述

对于DC-DC变换器的效率提升,需要有低电压、大电流的MOS管来优化代换。毕竟同步整流技术是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管,从而大大降低整流器的损耗,提升产品效率。

对于市场中同时具有DC-DC变换器、车载充电机等产品的新能源汽车车载电源的厂家都在出口进入亚太地区、欧洲、北美洲及南美洲等新能源汽车市场。

他们如何借助一款能替代SVG095R0NT型号参数的场效应管来提升DC-DC变换器的效率进而提升产品质量呢?

场效应管

关键核心在于场效应管的工艺以及参数等问题,对于DC-DC变换器生产的厂家,代换用国外SVG095R0NT 低压MOS管型号选择都是看产品以及性价比。

对于近年来已经越来越多的新能源汽车上下游产品的出海企业在选用120N9F4A国产型号的场效应管来使用,毕竟建立稳定而且具有性价比的半导体供应链是国内电子厂家的核心竞争力之一。

为何对120N9F4A型号场效应管在DC-DC变换器中使用能给予认可呢?除了因其是147A、97V参数的mos管外,还因其具备优秀的产品特点:

1、具有宽泛的BV电压

2、快速的开关能力

3、优异的抗短路性能

4、低栅极电荷,低Crss(典型值pF)

5、100% 经过Rg测试

6、100% 经过雪崩测试

7、100% 经过热阻测试

8、RoHS产品

场效应管

当然除了产品具备的优良特点外,120N9F4A能替代SVG095R0NT低压MOS管型号型号其还具备优良的参数:

1、N沟道增强型场效应晶体管

2、TO-220、TO-263封装形式多样,应用范围更广泛

3、Vgs(±V):20;VGS(th):2.2-3.8V;

4、ID(A):147A;BVdss(V):97V

5、最大脉冲漏极电流(IDM ):480A

6、反向传输电容:23pF

7、静态导通电阻RDS(on) = 5.4mΩ(MAX) @VGS = 10 V,RDS(on) =4.8mΩ(TYP) @VGS = 10 V

当然,以上仅罗列部分产品的参数,更多的120N9F4A型号参数可见详细产品规格书。120N9F4A型号MOS管,是由国内已经专注研发20年的MOS管厂家生产。它良好的制作工艺与参数性能能给DC-DC变换器做更好的适配,保障产品的可靠性。

场效应管

因其采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻,生产标准极其严格,所以更广泛使用在DC-DC变换器、同步整流、电机驱动、逆变器、电池管理系统、24管-72V输入电动车控制器等应用场景;mos管品牌替代型号:SVG095R0NT。

97V、147A 的MOS管代换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域:如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业,为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

审核编辑:汤梓红

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