接上文提到有没有更简便的方法可以不做那么复杂的弯针模型呢?模型建立越接近真实情况固然越准确,但是耗费时间,准确和效率找到平衡才是智者所为。
打个比方,当学习分数达到一定的程度,每提高一点,都必然要耗费心力。但在这个地方耗费心力,其实是透支未来。这也好比,一天挣100,如果要挣110,要加班3小时。那还不如省下3小时去学习,综合能力提升了自然可以找200一天的工作。
那我们就来看看是否有效率更高的方法。
2.5D仿真
SIWave或者PowerSI这类软件可以解这个问题吗?要找简单方法,当然也要尝试看看。
1.SIWave中直接下Port
求解用时8分钟,谐振影响非常大,显然结果不可用,方法不可取。
2.GND做Group
S21在10G以内很接近了,10G之后震荡加大,S11差异还是较大。PCIe Gen3以内用此方法还勉强可以接受。
3.SIWave with HFSS Region
看结果有点出乎意料,实则情理之中。SIwave with HFSS Region并不是万金油。解线路中的过孔结构没有问题,但是这种连接器结构,Region部分导入HFSS后Port依然是Circuit Port。
由此可见,2.5D软件解金手指结构并不可取,Port的影响是主要因素。
高速SerDes互连信号中长链路S参数提取的四种方法中也提到过SIWave with HFSS Region在几种方法对比中表现是最差的,并没有官方宣传的那么好,希望是我使用不当造成的,慎用!
HFSS中快速Port验证
①Coax Port
在SIwave中直接长焊球,生成Port,快速简单,再导入HFSS,省去建模的繁琐。
此种解法在35G左右有谐振,整体上比在SIwave中求解靠谱多了。计算时间1.5小时。
②直接下Lumped Port
此解法与SIwave结果类似,不可取。
③减小Lumped Port尺寸
没有改善,因此直接Lumped Port方式可以排除。
④Wave Port
结果符合预期,比实际应用情景略理想一点。
⑤非直接下Port,利用理想PEC建立Lumped Port
对比发现,方案④⑤是最接近真实情况的。放在一起比较,④⑤的S21曲线几乎完全一致。同时⑤的S11也是最接近真实情况的。而且⑤比④操作起来也更简单。
方案①与真实情况对比,20GHz以内没有问题,高频差距较大。
总结:对于PCIe Gen5金手指结构的仿真,要想准确,那就要加入连接器模型,稍微偷偷懒的方案首选⑤,其次④。继续偷懒的话,PCIe Gen4可以选方案①。
如果还要追求速度,PCIe Gen3以内可以使用SIwave GND Group。
刚才也强调,是要在精度和效率上找平衡,方案⑤到底可不可取?仿真的结果说到底还是仿,仿的结果取决于人和软件,测过才知道。
测试验证
取下子卡上的PCIe连接器,露出焊盘,随机测试一组差分信号。
测试设备:迪赛康科技(深圳)有限公司桌面探针系统
16GHz -6.74dB损耗
使用上述⑤的Port建立方法挑选测试的这对差分信号进行仿真
16GHz -5.65dB损耗
仿真与测试相比,趋势是对得上的,但是还相差了1.1dB,S11也比实际测试的理想很多。
1.1dB什么概率呢,差不多在968的板材上还能走1100mil长度走线,988板材还能走1400mil走线。
找找原因不难发现,仿真的时候我们默认阻抗都是一致性的,看上图测试结果就会发现PCB板厂加工的阻抗非常差。内层走线能从94一路滑坡到74。实际设计是这样的。
仿测拟合
为了证实一下阻抗的影响,故意做了一组接近实测阻抗趋势的同一对走线。
重新按照方法⑤仿真
16GHz -6.03dB损耗
16GHz损耗变差了,S11也变差了,更接近实测的结果
较真地问一下为什么还有差别?
影响阻抗的因素有很多,这里也只是仿照测试结果的趋势随便改变了一组参数,具体板厂是怎么加工的偏差尚不知道,因此仿真与测试还有差异很正常。
这里要证明的是仿真总是理想的,结果如何测过才知道。
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