一种低磁滞双向可控硅相位/功率控制电路

这是一种低磁滞双向可控硅相位/功率控制电路。该电路用于控制满负载功率的 5% 至 95%。该电路可以将磁滞效应降低到合理范围内。

这是因为该电路使用了第二个 RC 相移网络。除此之外，第二个 RC 相移网络还扩展了控制范围。该电路可用于改变电源电压。这是电路：

相移电压由大 R1 和 C1 形成，主要通过 R3 充电。双向交流开关触发后，磁滞减小，C2 能够对 C1 进行再充电，并且 C1 上的相移范围增大。当R1达到最大阻值时，必须调整R3，使电路刚好停止导通。