派恩杰半导体荣获“年度车规芯片市场突破奖”

　　2024年半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼于12月16日在北京嘉里酒店举行。作为本次盛事的一部分，包括30项奖项和60个榜单在内的一系列重要信息在现场公布。派恩杰半导体（杭州）有限公司荣膺“年度车规芯片市场突破奖”。

　　此奖旨在表彰2023年度实现单款车规芯片产品销售额或销量显著增长、在细分领域占据领先位置并广泛用于各类市场的优秀企业。

　　派恩杰半导体专注第三代半导体功率器件领域，产品涵盖碳化硅MOSFET、碳化硅SBD以及氮化镓HEMT等多个方向。始创于2018年，公司拥有国内最为全面的碳化硅功率器件产品。其碳化硅MOSFET与碳化硅SBD产品涵盖各电压级别和承载力，均已通过AEC-Q101车规级测试，适用于多种应用场景。

　　派恩杰半导体首席科学家黄兴博士之学术恩师分别为IGBT发明人Baliga教授和ETO晶闸管发明人Huang教授。自2009年起，专攻碳化硅和氮化镓功率器件的设计和研发。

　　作为进军电动汽车市场的拳头产品，派恩杰半导体推出的P3M06060K4车规级650V 60mOhm TO247-4L碳化硅场效应管，兼具高耐压、高耐热、低消耗等优点。其中，P3M06060K4采用的关键元件为4.8um，性能指标HDFM全球领先，适用于车载充电器与通信电源等多个领域。

　　得益于优异的产品性能与稳定性，P3M06060K4在国内市场已取得显著地位，同时也在国际市场赢得了一席之地。

　　IC风云榜通过市场、科研、资金、品牌等方面进行评估，选出半导体行业内最具经营智慧的风云企业。评选过程经过半导体投资联盟逾百家成员单位、超过500名CEO参与评分，以肯定和表彰那些在技术创新、产品制造、融资管理、产业链建设以及财务表现方面有卓越成就的半导体企业，从而树立行业标杆。