安世半导体荣获2023行家极光奖两项大奖

2023 年 12 月 14 日，行家说碳化硅&氮化镓产业高峰论坛，暨 2023 行家极光奖颁奖典礼（2023 Hangjia Aurora Award）颁奖晚宴在深圳顺利举办，集结了数百家 SiC、GaN 企业代表来共同见证第三代半导体的蓬勃发展。Nexperia（安世半导体）荣获权威认证，将「SiC年度优秀产品奖」与「中国GaN 功率器件十强」两项大奖收入囊中，展现了其作为基础半导体全球领导者的强大实力与深耕三代半领域的决心。

在碳中和背景下，以 SiC 和 GaN 为代表的第三代半导体技术正在帮助新能源产业降本增效，汽车、光伏、储能、充电桩、轨道交通正在加速拥抱和导入第三代半导体。2023 行家极光奖设置了 “十强企业”“年度优秀产品奖”等奖项，以表彰在本年度具有行业表率的优秀企业、引领产业变革的创新技术和优秀产品。

安世半导体一直投资和研发自有氮化镓工艺技术。目前遍布全球的自有化生产基地可以提供真正车规级 AEC-Q101 认证的产品。新一代的安世半导体氮化镓（HEMTs），提供业界领先的低导通电阻，更高的开关稳定性，可显著提升动态性能。2023 年 5 月，安世半导体又在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型 E-mode 器件，成为业内唯一可同时提供级联型和增强型氮化镓器件的供应商。

此外，安世半导体还在 2023 年先后推出了真 2 引脚(R2P) TO-220-2 通孔电源塑料封装的 650 V 碳化硅二极管与采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 碳化硅 MOSFET，拥有更高的稳健性和效率，有助于加速全球能源转型。

获奖产品

PSC1065K 碳化硅肖特基二极管结合了宽禁带半导体材料（碳化硅）的优点和 MPS 器件结构及其“薄型SiC”技术带来的额外优势。凭借其在工艺开发和器件制造方面的专业知识，安世半导体能够进一步提高这款新产品的性能，使其在当今 SiC 二极管市场中始终保持领先地位。

PSC1065K 具备不受温度影响的电容开关和零恢复性能，提供先进的性能以及出色的品质因数(QC x VF)。其突出的开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。

合并 PIN 肖特基(MPS)二极管通过在制造过程中降低芯片厚度而进一步提高其性能，并具备其他优势，例如出色的浪涌电流耐受能力，从而无需额外的保护电路。这些特性可显著降低系统复杂性，使硬件设计人员能够在耐用型高功率应用中，以更小的外形尺寸实现更高的效率。

例如，相比仅使用硅基解决方案的数据中心，配备采用安世半导体 PSC1065K SiC 肖特基二极管设计电源的数据中心将更加符合严格的能源效率标准。

Nexperia (安世半导体) 

Nexperia（安世半导体）总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia（安世半导体）的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。 

Nexperia（安世半导体）为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia（安世半导体）拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。

Nexperia：效率致胜。

审核编辑：汤梓红