碳化硅是新能源汽车800V高压快充标配？

800V 车型密集发布，碳化硅是 800V 高压快充标配。 碳化硅耐高压特性 适配 800V 高压快充车型，同时 SiC 方案可实现新能源汽车三电系统降 本、增效。23 年有小鹏 G6、极氪 X、智己 LS6 等多款 20-25 万元价格 段的标配碳化硅车型上市，可见新势力车企的高性能策略已强势拉动碳 化硅渗透，未来仍将有同价格段车型如极氪 007 等上市。碳化硅市场未 来将由新能源汽车主导拉动，预计 2028 年全球市场规模有望达到 66 亿 美元，22-28 年 CAGR 高达 32%。   衬底端，国产产能释放拉动降本，重视各厂商产能实际交付能力。 1） SiC 价格较高限制应用放量，21 年衬底占成本比例约 46%、是产业链的 核心降本环节，24-25 年国产衬底厂商市场释放是产业链降本、打开需 求空间的关键时点。 2）根据 Yole 数据，2022 年全球碳化硅衬底市场 中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ和 SICrystal 三家合计占据约 72%市场份额，国产 厂商天科合达、天岳先进加速追赶，22 年导电型衬底合计实现营收 1.04 亿美元，合计占比 15%，同比+5pct。 3）尽管各国产厂商规划产能增速 极高，但由于碳化硅衬底存在降低缺陷密度等技术门槛，因此并非所有 规划产能均能如期实际交付，部分厂商未来可能出现技术落后将导致盈 利能力不佳，从而放缓扩产节奏，尾部厂商将主动或被动完成产能出清。

器件端，国产厂商研发、扩产并举，24 年有望成为国产化元年。 1）根 据 Yole 数据，2021 年 SiC 市场份额前五厂家均为欧美日企业，合计占 据 93%的市场份额，其中意法半导体依靠与特斯拉的合作占据全球 40% 的市场份额。 2）国产设计厂商持续推出导通电阻更低、性能更优的碳 化硅芯片产品，同时传统设计公司已开始涉足碳化硅晶圆制造产线建 设，拟完成碳化硅 IDM 能力构建。国产代工厂商持续提升工艺平台能 力、扩建产能。3）可比国产 IGBT 上车历史，凭借供应本土化优势，国 产碳化硅模块厂商有望加速上车，24 年有望成为器件国产化元年。

审核编辑：黄飞