瑞能650V IGBT的结构解析

IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势，在行业内也处于领先地位。

650V IGBT的晶胞结构优化

上图是我们瑞能650V IGBT的晶胞结构，为了提高产品性能我们做了诸多优化，主要体现在：

正面结构

1优化栅极布局来降低栅极电荷

2采用载流子存储效应来改善Vcesat

3增加了镇流电阻，平滑开关波形，防止在使用过程中的波形震荡

背面结构

1背面结构中优化FS(场截止)层，降低电场应力，来提高产品的开关速度及增强产品的鲁棒性

2背面结构采用先进的薄片技术，能够有效降低导通损耗和开关损耗

 

 

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从上图几个关键的性能上的参数可以看出瑞能650V IGBT采用优化后的结构性能有了飞跃的提升，主要体现在Vcesat 更低、Qg更小、开关损耗更低。

这些也就意味着瑞能的650V IGBT在客户使用过程中损耗更小，效率更高，更有利于客户的设计和应用。

650V IGBT的性能定位

与全球领先的650V IGBT供应商产品相比，瑞能的650V器件具有类似甚至更好的权衡性能。

650V IGBT在PFC应用中的性能验证

操作条件：

•Vin=220V(ac)&50Hz 

•Po=3KW, Vout=320V(dc) 

•Lb=500uH 

•Fs=72kHz, Tc=100ºC 

•Vge=+15/0V, Rg=10ohm

 

在PFC应用中,瑞能650V 50A产品比竞品具有更好的开关导通损耗和热性能。

IGBT产品一览

审核编辑：汤梓红