Imec 与三井化学公司签署战略合作协议，将用于 EUV 光刻技术的 CNT 薄膜技术商业化

来源：半导体芯科技 SiSC编译

鲁汶（比利时），2023 年 12 月 14 日 — 世界领先的纳米电子和数字技术研究和创新中心 Imec 与日本领先的化学公司和 EUV 薄膜供应商三井化学今天宣布建立战略合作伙伴关系，将碳纳米管 （CNT） 基薄膜商业化用于极紫外 （EUV） 光刻。在此次合作中，三井化学将把imec基于碳纳米管的基本薄膜创新整合到三井化学的碳纳米管薄膜技术中，以实现完整的生产规格，目标是在2025-2026年期间将其引入高功率EUV系统。该签约仪式于2023年日本半导体展期间在东京举行。

该战略合作伙伴关系旨在通过咨询和由imec进行的EUV扫描仪验证，共同开发膜和EUV薄膜，以便在三井化学实现商业化。这些薄膜设计用于保护光掩模在EUV暴露期间免受污染，具有极高的EUV透射率（≧94%）、极低的EUV反射率和最小的光学影响，这些都是先进半导体制造中高产量和高产量的关键特性。此外，CNT薄膜还能够承受超过1kW的EUV功率水平，从而支持未来的EUV光源路线图（>600W）。这些特性引起了在大批量生产中使用EUV光刻技术的公司的浓厚兴趣。因此，双方将共同开发行业级CNT薄膜，以满足市场需求。

“Imec在支持半导体生态系统推进光刻路线图方面有着悠久的历史。自 2015 年以来，我们与整个供应链的合作伙伴合作，为先进的 EUV 光刻开发了一种基于 CNT 的创新薄膜设计，“imec 高级图案化、工艺和材料高级副总裁 Steven Scheer 说。“我们相信，我们对CNT膜的计量、表征、特性和性能的深入了解将加速三井化学的产品开发。我们希望共同将碳纳米管薄膜投入生产，用于未来几代EUV光刻技术。

光刻路线图预计在2025-2026年推出新的薄膜，即下一代ASML 0.33NA EUV光刻系统将支持功率水平为600W及以上的光源。这个时间范围与插入超过2nm的逻辑技术节点有关。

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审核编辑 黄宇