薄膜材料电阻率与霍尔迁移率测试详解

描述

薄膜作为一种重要的材料形态,在各个领域中都有着广泛的应用。在电子器件方面,薄膜被广泛应用于集成电路、显示器件、太阳能电池等领域。薄膜提供了更高的集成度和灵活性,使得电子器件在体积和性能上都有了显著的提升。

薄膜未来发展也具有广阔的前景。首先,纳米薄膜在材料研究和应用中扮演着重要角色。纳米级薄膜能够充分利用尺寸效应和界面效应,具有优异的物理和化学性能,因此在光电器件、传感器、储能器件等方面有着广泛的应用前景。其次,功能化薄膜的发展是薄膜研究的一个重要方向。

电子薄膜材料电阻率测试面临的挑战

电子薄膜种类多,电阻率特性不同

-  需选择适合的SMU进行测试

被测样品形状复杂,需选择适当的修正参数

-  厚度修正系数对测试结果的影响F(W/S)

-  圆片直径修正系数对测试结果的影响

-  温度修正系数对测试结果的影响

环境对测试结果有影响

-  利用电流换向测试消除热电势误差

利用多次平均提高测试精度

-  需考虑测试成本

电子薄膜材料表面电阻率测试

表面电阻率测试常用方法是四探针法与范德堡法,但对电子薄膜材料,范德堡法很少应用。多数情况下,电子薄膜材料表面电阻率测试对测试仪器的要求没有二维材料/石墨烯材料高,用源表加探针台即可手动或编写软件自动完成测试。

SMU








审核编辑:刘清

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