传三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

　　据财联社报道，韩国内存半导体行业对本土产业的投资兴趣增加，内存半导体价格在2023年末持续攀高。业者们指出，陆续有消弭的储存设备采购订单正在逐渐回归。

　　数据显示，首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力，并启动大规模HBM设备采购；此外，三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移，进一步加大对DRAM的投资力度。

　　值得一提的是，向SK海力士提供蚀刻设备的APTC公司的前端工艺设备订单量较去年明显增加。最近，Chosun Biz报道NVIDIA预先支付了700亿至1万亿韩元（约合5.4亿至7.7亿美元）予SK海力士及美光，预计此笔金额介于10.8亿美元至15.4亿美元之间。尽管未公开具体用途，业界猜测NVIDIA目的在于保证2024年HBM存储器供应稳健，免除因新款AI、HPCGPU上市而出现储备短缺问题。

　　据透露，三星、SK海力士和美光等存储巨头在未来一年的HBM储存能力均已实现销售告馨。依据目前的资讯，英伟达计划推出配置HBM3E的产品——包括容量高达141GB的H200 GPU以及GH200超级芯片。这些产品备受瞩目，因为 NVIDIA在人工智能和高性能计算方面保持着市场领导地位，因此大量HBM存储对维持H200 GPU和GH200超级芯片的充足供应至关重要。

　　面对市场需求增长，各大企业纷纷调整产品售价。台湾电子时报消息，三星与美光两大供应商正筹谋在2024年第一季将DRAM芯片价格上调15％至20％。早前已有部分厂商接获三星的涨价通知。然而，SK海力士早在去年10月就已经宣布涨价，并计划将由给厂家客户的DRAM及NAND Flash芯片合约价上调10％至20％。