传三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

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  据财联社报道,韩国内存半导体行业对本土产业的投资兴趣增加,内存半导体价格在2023年末持续攀高。业者们指出,陆续有消弭的储存设备采购订单正在逐渐回归。

  数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。

  值得一提的是,向SK海力士提供蚀刻设备的APTC公司的前端工艺设备订单量较去年明显增加。最近,Chosun Biz报道NVIDIA预先支付了700亿至1万亿韩元(约合5.4亿至7.7亿美元)予SK海力士及美光,预计此笔金额介于10.8亿美元至15.4亿美元之间。尽管未公开具体用途,业界猜测NVIDIA目的在于保证2024年HBM存储器供应稳健,免除因新款AI、HPCGPU上市而出现储备短缺问题。

  据透露,三星、SK海力士和美光等存储巨头在未来一年的HBM储存能力均已实现销售告馨。依据目前的资讯,英伟达计划推出配置HBM3E的产品——包括容量高达141GB的H200 GPU以及GH200超级芯片。这些产品备受瞩目,因为 NVIDIA在人工智能和高性能计算方面保持着市场领导地位,因此大量HBM存储对维持H200 GPU和GH200超级芯片的充足供应至关重要。

  面对市场需求增长,各大企业纷纷调整产品售价。台湾电子时报消息,三星与美光两大供应商正筹谋在2024年第一季将DRAM芯片价格上调15%至20%。早前已有部分厂商接获三星的涨价通知。然而,SK海力士早在去年10月就已经宣布涨价,并计划将由给厂家客户的DRAM及NAND Flash芯片合约价上调10%至20%。

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