GPS天线口浪涌静电防护:半导体放电管+TVS/ESD二极管+肖特基二极管

描述

浪涌静电防护方案设计中,最重要的环节是要了解分析浪涌电流的路径,只有了解浪涌电流路径之后,才能够更好地给浪涌电流搭建一条合理的泄放路径。前段时间,有客户向东沃电子求助:公司的监控无线设备GPS接口在过共模3KA@8/20μs±5T测试时,LDO芯片损坏,无法正常工作,该怎么解决?针对客户这个情况,东沃电子技术设计了GPS接口浪涌静电防护方案图,为客户电路安全保驾护航。

 

GPS接口浪涌静电保护方案设计图

半导体

 

GPS接口浪涌静电保护方案详解

 

从东沃GPS接口浪涌静电保护方案设计图可知,东沃电子技术从两个方面进行浪涌静电防护:一个是对内馈直流电源进行浪涌防护,另一个是对射频信号进行防护。一级电源防护,东沃技术推荐选用半导体放电管P0080SC,用于吸收雷击或大浪涌电流。馈电部分防护选用单向瞬态抑制TVS二极管SMBJ6.0A和肖特基二极管B0520W,可有效保护后端LDO芯片免受浪涌的冲击。二级信号接口选用东沃推出的ESD静电保护二极管DW05DLC-B-S,工作电压5V、低钳位电压18.3V、低漏电流1uA。根据IEC 61000-4-2标准,它可用于提供高达±30kV(空气放电)/±30kV(接触放电)的ESD保护,根据IEC 61000-4-5,可承受17A(8/20us)的峰值脉冲电流,对接口芯片能够提供可靠的静电和浪涌保护。ESD二极管DW05DLC-B-S结电容1PF,能够保证射频信号传输的完整性。

 

GPS接口浪涌静电保护器件参数

 

1)半导体放电管P0080SC参数

查看东沃电子“TSS-PxxxxSC Series Datasheet”可知:

半导体半导体放电管P0080SC

 

2)TVS二极管SMBJ6.0A参数

查看东沃电子“TVS-SMBJ Series Datasheet”可知:

半导体SMBJ6.0A

 

3)肖特基二极管B0520W参数

查看东沃电子“SBD-B0520W Thru B0540W (SOD-123) Datasheet”可知:

半导体B0520W

 

4)ESD二极管DW05DLC-B-S参数

查看东沃电子“ESD-DW05DLC-B-S Datasheet”可知:

半导体DW05DLC-B-S

 

 

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