新思科技3DIC Compiler集成了3Dblox 2.0标准,可用于异构集成和“从架构探索到签核”的完整解决方案。
新思科技 UCIe PHY IP在台积公司N3E工艺上实现了首次通过硅片的成功(first-pass silicon success),可提供低延迟、低功耗和高带宽的芯片间连接。
UCIe PHY IP与3DIC Compiler的结合将有效优化多裸晶系统设计,能够以更低的集成风险实现更高的结果质量。
新思科技(Synopsys)两月前宣布进一步扩大与台积公司的合作,双方携手通过可支持最新3Dblox 2.0标准和台积公司3DFabric技术的全面解决方案不断优化多裸晶系统(Multi-Die)设计。新思科技多裸晶系统解决方案包括 “从架构探索到签核”统一设计平台3DIC Compiler,可提供行业领先的设计效率,来实现芯片的容量和性能要求。此外,新思科技UCIe IP也已在台积公司领先的N3E先进工艺上取得了首次通过硅片的成功,实现了die-to-die高速无缝互连。
▲新思科技UCIe PHY IP在台积公司N3E工艺上首次通过硅片的成功,展示了充足的链路裕量
“台积公司长期与新思科技紧密合作,为芯片开发者提供差异化的解决方案,帮助他们解决从早期架构到制造过程中面临的高度复杂的挑战。我们与新思科技的长期合作,让我们的共同客户能够采取针对性能和功耗效率优化的解决方案,以应对高性能计算、数据中心和汽车应用领域的多裸晶系统设计要求。”
Dan Kochpatcharin
设计基础设施管理部负责人
台积公司
“我们与台积公司强强联合,为多裸晶系统提供了全面、可扩展的解决方案,实现了前所未有的芯片性能和设计效率。采用3Dblox 2.0等通用标准在统一设计平台上进行多裸晶系统设计的架构探索、分析和签核,并结合在台积公司N3E工艺上已实现首次通过硅片成功的新思科技UCIe PHY IP,客户能够进一步加速从早期架构探索到制造的系统设计全流程。”
Sanjay Bali
EDA事业部战略与产品管理副总裁
审核编辑:刘清
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