模拟技术
01 MOS管导通截止原理
NMOS管的主回路电流方向为D—>S,导通条件为VGS有一定的压差,如 5V(G电位比S电位高)。
PMOS管的主回路电流方向为S—>D,导通条件为VGS有一定的压差,如 -5V(S电位比G电位高)。
02 MOS管做上管和下管
1)NMOS当下管,即S极(源极)直接接地,只需控制G极(栅极)电压即可控制NMOS管的导通或截止,因为MOS管导通的条件取决于VGS的压差。
2)NMOS当上管,D极(漏极)接正电源,而S极的电压不固定,无法确定控制NMOS导通的G极电压,因为S极对地的电压有两种状态,NMOS关截止时为低电平,导通时接近高电平VCC。
3)PMOS当上管或下管原理一样。
4)通常使用PMOS做上管,NMOS做下管。
03 NMOS管应用
使用NMOS当下管,S极直接接地,只需将G极电压固定值为5V即可导通(该5V视MOS管型号而定)
04 PMOS管应用
使用PMOS当上管,S极直接接电源VCC(5V),只需将G极电压固定值为0V即可导通。
审核编辑:黄飞
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