台积电2nm制程稳步推进，2025年将实现量产

　　据悉，近期台积电旗下在中国台湾的重要供应链合作伙伴透露，公司即将采用GAA（全栅极环绕）技术来生产2nm制程节点产品。其中，位于新竹科学园区的宝山P1晶圆厂有望最早于今年4月份启动设备安装工作，而P2及高雄两地的工厂则计划在2025年开始制造采用此项技术的2nm芯片。

　　得益于2nm制程项目的顺利推进，宝山、高雄新晶圆厂的建造工程正有序进行。台中科学园区已初步确定了A14与A10生产线的布局，具体是否增设2nm制程工艺将根据市场需求再定。

　　对于台中晶圆厂的二期项目，台积电尚在评估潜在客户需求，并拟在2027年前做出决定：于该厂房采用2nm或是A14工艺节点。2nm技术的成功落地，不仅为ASML、应用材料等供应商带来商业契机，同时也为众多中国台湾供应商创造了新的发展空间。

　　另外，台积电自2023年第三季度以来，其3nm工艺节点的营收比例已升至约6％。至今，其每月3nm产能已逐步攀升至10万片，且预计明年将对公司整体收入形成更大贡献。其中，N3E作为更具性能优势的3nm节点产品已于2023年第四季度启动量产，同时具备N3P、N3X工艺的产品系列亦能满足多样化的客户需求。

　　据预测，台积电的2nm技术有望于2025年实现量产。尽管台积电暂未披露相关设备采购计划，但无疑最新型的EUV光刻机是达成2nm制程的必要条件。值得关注的是，英特尔已率先入手ASML的首台High-NA EUV光刻机，每台售价高达4亿欧元。