半导体行业之晶圆制造与封装概述（二）

芯片的术语

下图中描述了一个中等规模集成(MSI)/双极显微照片集成电路。选择整合的水平，以便一些表面细节可以看到。高密度电路的元件非常小，以至于它们在整个芯片的显微照片上无法区分。

该芯片的特点是:1、双极晶体管；2、电路编号；3、粘接垫，可以将芯片连接到封装中；4、粘在键合pad上的的污物垫；5、金属表面“布线”；6。划片道；7、无关联的组件；8、掩膜对齐标记；9、电阻器

基本晶圆制造操作

有许多的电路是混合电路和集成电路。ic是基于一个小数量的晶体管结构构成(主要是双极或金属氧化物硅[MOS])结构和制造工艺。汽车行业就是一个典型的例子。这个行业生产的产品种类繁多，从轿车到推土机。然而，金属成形、焊接、喷漆等过程都是所有工厂都有的。在工厂内部，这些基本流程应用不同的方式生产不同产品。

微芯片制造也是如此。四种基本操作是通过测序来生产特定的微芯片。基本的操作有分层，图形化，激活剂和热处理。下图是(MOS)硅栅的截面图晶体管。它说明了如何使用和排序这些基本操作来创建现实生活中的半导体器件。

分层

分层是在晶圆片表面添加薄层的操作。一个如下图中对简单MOS晶体管结构的检查显示了一些已添加到晶圆片表面的层。这些层可以是绝缘体，半导体或导体。它们由不同的材料制成，生长在不同的地方，通过各种方法沉积的。

各种技术被用于生长二氧化硅层和沉积(如下图所示)。常见的沉积技术是物理沉积气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、蒸发、溅射、分子束，外延，分子束外延和原子层沉积(ALD)。电镀是在高密度上镀金的一种方法集成电路。下图列出了常用的层材料和分层过程。每个过程的细节将在过程章节中解释。角色的不同结构中的层将在后续的章节中解释。

图形化

图形化是一系列步骤，其结果是去除图像的选定部分添加面层(如下图所示)。去除后，层的图案留在晶片表面。所去除的材料可以以层中的孔或孔的形式存在，只剩下一个岛。

这种图案化的过程被称为掩模，掩模，光刻和显微光刻。在晶圆制造过程中晶体管、二极管、电容器、电阻器和金属的各种物理部件晶圆片表面和内部形成导电系统。这些部分被创建一次一层，通过在表面上放一层和使用留下特定形状的图案加工过程。模式操作的目标是以所需的精确尺寸(特征尺寸)创建所需的形状电路设计，并将它们定位在晶圆表面上的适当位置和其他层的关系。

图形化是四种基本操作中最关键的。此操作将设置设备的关键尺寸。图案制作过程中的错误可能会导致扭曲或错位的图案，导致电气故障的设备或电路。模式的错误放置可能会产生同样的坏结果。另一个问题是缺陷。图案制作是一种高科技版的摄影，但它是在难以置信的小尺寸。在工艺步骤中可能引入污染缺陷。这个污染问题被放大了，因为图案在最先进的晶圆制造工艺过程中，在晶圆上执行30次或更多次操作。

审核编辑：刘清