英特尔与联华电子联手研发12nm半导体工艺平台

　　英特尔与联华电子达成战略联盟，共同研发供应12纳米半导体工艺平台，以满足高速增长的移动、通信基建和网络市场需求。这一长期协定结合了英特尔在美国的大规模制造实力和联电在成熟节点的丰富代工经验，旨在完善更广范围的工艺系列。同时也为全球顾客在采购抉择时提供了更多选项，实现供应链的国际分布及弹性保障。

　　英特尔高层Stuart Pann指出，本次战略合作彰显了英特尔致力于通过技术和制造创新在全球半导体供应链中的地位，助力实现其至2030年成为全球最大代工厂的宏伟目标。

　　据悉，12纳米节点将充分运用英特尔在美国的规模化生产能力和FinFET晶体管设计专长，呈现出成熟先进、效能领先的特性。借助联电长达数十载的工艺引领史以及提供工艺设计套件与设计协助的经验积累，可以为客户提供优质的铸造服务。新工艺节点将会于英特尔位于亚利桑那州Ocotillo的12， 22及32座晶圆厂投入研发及生产。这些已有设备将有助于节省前期投资，提升资源使用效率。