基于EXB841的IGBT推挽驱动电路原理

模拟技术

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描述

IGBT驱动电路需要提供适当的电压、电流和保护功能,以确保IGBT能够正常工作并防止损坏。此外,高速驱动和温度监测也是提高系统性能和可靠性的重要要求。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)驱动电路的基本要求包括以下几点:

1. 电压匹配:IGBT驱动电路要与驱动源(如微控制器、门级驱动器)的输出电压匹配。通常,IGBT需要较高的电压才能迅速开启和关闭。因此,驱动电路应该能够提供足够的电压来控制IGBT的开关动作。

2. 电流能力:IGBT驱动电路应该能够提供足够的电流来充分驱动IGBT。由于IGBT的门电极电容较大,需要一定的电流来快速充放电。因此,驱动电路应该具备足够的电流能力,以确保IGBT能够迅速地开启和关闭。

3. 高速驱动:IGBT驱动电路应该能够提供快速的开启和关闭时间,以提高系统的响应速度。为了实现高速驱动,可以采用特殊的驱动器和电流放大器来降低开关时间。

4. 电流保护:IGBT驱动电路应该具备过流保护功能,以防止IGBT过载。这可以通过电流传感器和保护电路来实现。当IGBT的电流超过一定阈值时,保护电路将触发,从而切断IGBT的驱动信号。

5. 温度监测:IGBT驱动电路应该能够监测IGBT的温度,以防止过热。通过采用温度传感器和控制电路,可以实现对IGBT温度的监测和保护。

EXB841工作原理如图1,当EXB841的14脚和15脚有10mA的电流流过1us以后IGBT正常开通,VCE下降至3V左右,6脚电压被钳制在8V左右,由于VS1稳压值是13V所以不会被击穿,V3不导通,E点的电位约为20V,二极管VD,截止,不影响V4和V5正常工作。

当14脚和15脚无电流流过,则V1和V2导通,V2的导通使V4截止、V5导通,IGBT栅极电荷通过V5迅速放电,引脚3电位下降至0V,是IGBT棚一射间承受5V左右的负偏压,IGBT可靠关断,同时VCE的迅速上升使引脚6°悬空“.C2的放电使得B点电位为OV,则VS1仍然不导通,后续电路不动作,IGBT正常关断。

如有过流发生,IGBT的V CE过大使得VD2截止,使得VS1击穿,V3导通,C4通过R7放电,D点电位下降,从而使IGBT的棚一射间的电压UGE降低,完成慢关断,实现对IGBT的保护。由EXB841实现过流保护的过程可知,EXB841判定过电流的主要依据是6脚的电压,6脚的电压不仅与VCE有关,还和二极管VD2的导通电压Vd有关。

IGBT

典型接线方法如图2,使用时注意如下几点:

a、IGBT棚-射极驱动回路往返接线不能太长(一般应该小于1m),并且应该采用双绞线接法,防止干扰。

b、由于IGBT集电极产生较大的电压尖脉冲,增加IGBT栅极串联电阻RG有利于其安全工作。但是棚极电阻RG不能太大也不能太小,如果RG增大,则开通关断时间延长,使得开通能耗增加;相反,如果RG太小,则使得didt增加,容易产生误导通。

c、图中电容C用来吸收由电源连接阻抗引起的供电电压变化,并不是电源的供电滤波电容,一般取值为47F.

d、6脚过电流保护取样信号连接端,通过快恢复二极管接IGBT集电极。

e、14、15接驱动信号,一般14脚接脉冲形成部分的地,15脚接输入信号的正端,15端的输入电流一般应该小于20mA,故在15脚前加限流电阻。

f、为了保证可靠的关断与导通,在栅射极加稳压二极管。

IGBT

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