浅谈flash存储器的特点和优缺点

描述

   不管是Nor-flash还是Nand-flash,单位cell的结构都类似如下,为双gate的MOS结构。中间一层floating gate无漏电存在,可以保存住电荷而实现非易失。

  

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  Floating gate上电荷转移需要外加电压实现。在Control gate和沟道之间施加的反向电压可以去除电荷,也即擦除erase操作。在Control gate和沟道或source 之间施加正向电压可以将电荷转移到floating gate上。

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  flash存储器的三个特点

  Flash存储器具有三个显著的特点:

  区块结构:Flash存储器在物理上被分成若干个区块,这些区块之间相互独立。这种结构使得对存储器的操作可以更加灵活和高效。

  先擦后写:Flash存储器的写操作具有特殊性,它只能将数据位从1写成0,而不能从0写成1。因此,在对存储器进行写入操作之前,必须先执行擦除操作,将预写入的数据位初始化为1。需要注意的是,擦除操作的最小单位是一个区块,而不是单个字节。

  操作指令:执行写操作时,必须输入一串特殊指令(如NOR Flash)或者完成一段时序(如NAND Flash),才能将数据写入存储器。

  Flash存储器还具有固有不挥发性的特点,与磁存储器相似,不需要后备电源来保持数据。因此,它具有无需电能保持数据的优点。

  不同类型的Flash存储器(如NOR Flash和NAND Flash)可能在某些特性上存在差异。

  Flash存储器的优缺点分别是什么

  Flash存储器的优点主要包括以下几点:

  数据存储非易失性:Flash存储器中的数据在断电后不会丢失,具有固有不挥发性的特点,因此不需要后备电源来保持数据。

  数据存储速度快:Flash存储器具有较快的读写速度,能够满足许多应用对高速存储的需求。

  数据存储密度高:Flash存储器具有较高的存储容量和密度,能够满足大容量数据存储的需求。

  功耗低:Flash存储器的功耗相对较低,有利于节能减排和延长设备使用寿命。

  然而,Flash存储器也存在一些缺点:

  写入次数有限:Flash存储器的写入次数有限,一般只能进行有限的擦写周期。超过这个周期后,存储器的性能会受到影响,甚至可能导致数据丢失。

  数据安全性有待提高:由于Flash存储器的数据是以区块为单位进行擦除和写入的,因此可能存在数据损坏或丢失的风险。此外,如果存储器遭受物理损坏或不当操作,也可能导致数据丢失或损坏。

  请注意,不同类型的Flash存储器(如NOR Flash和NAND Flash)在优缺点方面可能存在差异。在选择和使用Flash存储器时,建议综合考虑其特点和应用需求,以确保满足实际需求。

  审核编辑:黄飞

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