◆QR控制模式,显著减低开关损耗,支持125kHz工作频率,减小变压器及输出电容体积;
◆QR/PFM/Burst多工作模式,提高全负载段工作效率;
◆SOP12封装,高低压引脚爬电距离大于2mm,更高安全性;
◆智能保护:输出过压保护、次级整流管短路保护、采样电阻短路保护、过温保护、过负载保护等,可轻松应对各种应用场景下可能发生的电源故障!
该系列芯片基于准谐振控制,显著降低功率MOSET开通损耗和次边整流管的反向恢复损耗,因而支持125kHz高频化工作。
Vg:母线电压;n:变压器原副边匝比;
Vo:输出电压;N:谷底数;
Lp:变压器励磁电感;
Coss:开关管漏源两端的等效电容
Ipmax:变压器原边峰值电流
该系列芯片集成800V智能功率器件,包含功率开关管Q1、电流采样管Q2和高压启动模块,使得电源系统的抗雷击冲击能力更强、待机功耗更低、异常保护更敏捷。
芯片根据FB电压工作于QR、PFM、Burst-mode三种模式,通过DMG检测变压器消磁结束后的谐振谷底信号,实现谷底开通。
重载时,芯片工作在第一谐振谷底;负载减轻时,芯片会逐步降低工作频率至25kHz;极轻载时,芯片进入间歇工作模式,从而实现全负载段的效率更佳!
芯片提供了极为全面和优异的智能化保护功能,包括过温保护(OTP)、输出过压保护(Vout OVP)、VDD过压保护(VDD OVP)、逐周期过流保护(OCP)、输出短路保护(OSCP)、次级整流管短路保护(DSP)、采样电阻短路保护(CSS)和过负载保护(OLP),可轻松应对各种应用场景下可能发生的电源故障!
通过工业级JEDEC可靠性标准测试,包括HTOL、ESD、Latch-up、TC等11个测试项目。
审核编辑:刘清
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !