什么是雪崩击穿 雪崩失效电流路径示意图

　　雪崩击穿（Avalanche Breakdown）是半导体器件中一个关键的物理现象，特别是在PN结二极管和各种类型的功率晶体管中。当这些器件的反向电压超过一定的临界值时，会突然有大量电流流过原本应当阻止电流流动的PN结。这种不受控制的电流流动会导致器件损坏，除非通过外部电路限制电流。

　　当MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的漏源电压超过其绝对最大额定值BVDSS时，器件将发生击穿。在高电场作用下，自由电子获得加速并携带足够能量，引发碰撞电离，这个过程导致电子-空穴对的生成。

　　

　　随着这些新生成的载流子在电场中被加速并获得能力产生更多电子-空穴对，载流子数量以雪崩效应的形式急剧增加，这一现象被称作“雪崩击穿”。

　　在这期间，与MOSFET内部寄生二极管的正常电流方向相反的电流被称为“雪崩电流IAS”，这种电流可能对器件造成损坏，因此在器件设计和电路应用中需要特别注意防止雪崩击穿的发生。

　　雪崩击穿的特点包括：

　　电压阈值：每个PN结都有一个特定的击穿电压，当外加电压超过这个值时，雪崩击穿可能发生。

　　温度依赖性：随着温度的升高，雪崩击穿电压通常会降低，因为更高的温度意味着更多的载流子和更大的载流子运动性。

　　载流子倍增：雪崩击穿涉及载流子的倍增过程，其中每个载流子都有可能通过碰撞电离产生新的载流子。

　　破坏性：如果不加以控制，雪崩击穿会导致器件损坏，因为它会引起大量的电流流过器件，产生过热。