近日,全球存储解决方案领导者SK海力士宣布,他们已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的开发,并且已经通过了英伟达长达半年的严格性能评估。据此,SK海力士计划在今年3月开始量产这款高频宽记忆体,以供应给英伟达作为他们下一代Blackwell系列AI芯片旗舰产品B100的首选存储器。
英伟达计划在今年第二季度末或第三季度初推出Blackwell系列的B100芯片,这款芯片预计将引领AI计算的新潮流。而SK海力士的HBM3E,以其出色的性能和效率,将成为B100芯片的理想选择。
值得一提的是,英伟达在AI GPU市场的地位已经稳固,其市场份额超过了90%。而在存储市场,SK海力士也占有全球HBM市场的一半以上份额,更是100%垄断了128GB DDR5大容量DRAM市场。这次合作将进一步巩固两家公司在各自领域的领先地位。
对于SK海力士来说,这次与英伟达的合作不仅是对其技术实力的一次肯定,更是对其市场地位的一次提升。随着HBM3E的量产和供货,SK海力士有望在全球存储市场进一步扩大其影响力。
总的来说,SK海力士与英伟达的合作将开启一个新的篇章,双方的技术和市场优势将共同推动AI计算和存储技术的发展。我们期待看到这两款领先技术的结合,为未来的AI应用带来更大的可能性和创新。
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