图1 MOS管驱动等效电路
仿真分析
如图所示MOS管驱动电路,定性分析可知,当MOS管关断时,MOS管两端应力为Vds,此时Vds向Cgd和Cgs充电,可能导致Vgs达到Vgs(th)导致MOS管误导通。
以英飞凌MOS管IMZA65R048M1H为例,相关寄生参数为
设此时应力Vds为600V,Cgs两端电压为
此时Vgs已经达到,管子开启电压Vgs(th)
如果Cgs两端并接电阻R=10k
此时Vgs会慢慢降为0,Vds基本落在Cgd两端,但是还是会有一个较高的电压尖峰,此时Cgs两端并联一个2.2nF的电容,此时可以发现电压尖峰只有2.2V左右,可以有效防止MOS管的误导通。
结论:Cgs两端并接阻容可以有效防止MOS管的误导通。
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