AMD MI300加速器将支持HBM3E内存

　　据AMD高层透露，其最新处理器MI300已备好支持更高速的HBM3E内存。2月27日本次电话会议中，AMD的首席技术官马克·帕佩玛斯特，向投资人展示并强调了他们对存储领域的深入理解。他解释说：“目前我们已经准备好了8层及12层堆叠的HBM设计，以及针对HBM3和HBM3E的新架构。”

　　据手机资讯网站IT之家了解，MI300加速器配备了HBM3内存模块，并面向HBM3E进行了重新设计。另外，该公司在供应链交付合作方面颇为深入，不仅与主要的存储器供应商建立了稳固的联系，同时也与如台积电等重要的基板供应商以及OSAT社区保持着紧密的合作关系。根据之前Tom‘s Hardware发布的报告显示，Instinct MI300X和MI300A都使用了8个HBM堆栈，分别提供了192/128GB的总内存容量。

　　相较于HBM3，新的HBM3E内存在读取和写入速度上都有大幅提高，比如SK海力士产品的HBM3引脚传输速率能达到6.4Gbps，而HBM3E则高达9.2Gbps。此外，由于部分制造商已经推出单颗容量36GB的HBM3E内存，如此一来新的内存还可以增加处理器的总内存大小。

　　在此前的消息中，知情网友@Kepler_L2曾经提到过，AMD计划推出一款修改后的MI300型号，将采用HBM3e作为内存，这一消息得到了首席技术官的间接证实。