三星开创性研发出12层堆叠HBM3E 12H高带宽存储芯片，存储容量高达36

　　三星在2月27日发布了世界上第一款12层堆叠HBM3E 12H高带宽存储芯片，其容量做到惊人的36GB，带宽更达到惊人的1280GB/s。相较于8层堆叠的HBM3产品，新款HBM3E 12H无论从容量还是带宽上都有大幅提升，可极大助力AI（人工智能）的训练和推断速度。

　　三星电子存储产品规划执行副总裁Yongcheol Bae说，随着AI行业对HBM的迫切需求，这就是他们研发新型HBM3E 12H产品的原因。

　　三星在技术上采用了最新的热压力传导性膜（TC NCF）技术，成功维持了12层产品的高度与其前身8层HBM芯片保持一致，满足了现有的HBM封装要求。他预测，这种技术在未来会带来更大的突破，尤其是在高层次堆叠方面，因为全球都在为此头疼的薄晶圆翘曲问题提供解决之道。他强调，三星正在努力减少NCF材料的厚度，并且已经实现了当今市场上最小的芯片间隙（7微米），如此一来就可以消除分层空隙，且新技术的进步提高了垂直密度超过20％。

　　另外，三星也表示，TC NCF技术还可以通过利用不同尺寸的凸块在芯片之间改善HBM的热性能。新的芯片键合策略中，小凸块用于释放信号处理区域，而大凸块则应用于需要降温的地方。

　　据目前已知的消息，英伟达的H200旗舰AI芯片已经选择了HBM3E存储，接下来的B100芯片同样将使用该技术。全球三大存储芯片制造商——三星、SK海力士以及美光都在大力投资HBM领域。

　　最后，三星称，HBM3E 12H将会成为未来的首选解决方案，它可以大大地降低数据中心的总体成本（TCO）。性能方面，新产品比之前的HBM3 8H能让AI训练速度提高约34%，适用于推理服务支持的用户数量可增长多达11.5倍以上。

　　据悉，三星已开始向客户提供HBM3E 12H样本，并预期将于今年上半年正式投入量产。