MRAM HS4MANSQ1A-DS1在汽车电子中的应用

车载电子设备实时收集汽车行驶状态、驾车者和乘客的状况、以及周边环境等信息，并自动判断汽车自身及其乘员状态，及时提醒驾乘人员采取相应措施。

随着汽车智能化水平的提升，车载电子设备需要更高性能和可靠性的非易失存储器。MRAM具有纳秒级高速写入和万亿次擦写耐久度，可满足汽车电子应用场景的频繁实时记录数据的要求；以下是汽车信息采集系统结构图：

国芯思辰HS4MANSQ1A-DS1是一个容量为4Mbit的MRAM芯片，支持SPI/QPI(串行单线/四线接口)，该芯片可配置为1位I/O 独立接口或4位I/O通用接口。HS4MANSQ1A-DS1在存储器阵列中采用磁技术，在汽车电子中应用满足耐久性需求，数据可以保持10年以上。

HS4MANSQ1A-DS1封装图

MRAM HS4MANSQ1A-DS1单一电源VCC仅3.3V，待机电流只有2mA，休眠电流仅有2μA，可以很好的节省汽车中器件的电量消耗。从耐久度上来看，HS4MANSQ1A-DS1在105℃环境下数据可以保留10年以上，85℃环境下数据可以保留20年以上，由此，国芯思辰MRAM HS4MANSQ1A-DS1完全适合汽车电子的存储系统。

 

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