美国记忆体制造巨头美光(Micron)于26日宣布,其最新的高频宽记忆体HBM3E已正式量产。此项技术将被用于今年第2季度的英伟达(NVIDIA)H200 Tensor Core GPU,标志着美光在该领域处于业界领先地位。这一消息推动美光股价在当天上涨4%,27日美股早盘继续上涨逾2.5%。
HBM3E是第五代高频宽记忆体,目前提供的容量为24GB,每脚位传输速率超过每秒9.2 Gb,记忆体频宽达每秒1.2 TB以上。相较于竞争对手,美光HBM3E的功耗降低约30%。
据百能云芯电.子元器.件商.城了解,公司计划在2024年3月推出12层堆叠36GB HBM3E的样品,该产品的效能可达每秒1.2TB以上,并具备出色的功耗表现。
这一里程碑性的量产对于美光而言是一项重大突破,预计将为公司2024年带来7亿美元的HBM销售收入。
然而,三星电子也紧随其后,于27日宣布成功研发出业界首款采用矽穿孔技术的12层堆叠HBM3E。这款新产品的容量达到36GB,是迄今为止业内最大的容量,已经开始提供样品,并计划在下半年进行量产。
在同一领域,SK海力士于1月中旬完成HBM3E的开发,并计划于3月开始量产。然而,美光的成功量产使得SK海力士的进度显得相对滞后。Omdia最新的数据显示,截至2023年第4季,三星电子在全球DRAM市场的份额为45.7%,SK海力士为31.7%,而美光为19.1%。
随着高性能计算和人工智能应用的不断发展,HBM作为一种快速增长的存储技术,预计其市场规模将从2023年的39亿美元增长至2027年的89亿美元。在这一领域,美光通过HBM3E的量产成功,进一步巩固了其在存储技术领域的领先地位。
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审核编辑 黄宇
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