PN8604SE-A1
PN8604SE-B1
01
漏极检测及芯片供电耐压高
漏极检测脚耐压高于220V,支持输出电压58V以上应用。
VDD耐压高于35V,输出电压28V以内,无需额外的辅助绕组供电电路,简化了变压器设计,节省成本。
02
双重措施防止误开通
芯片采用双路驱动互锁技术避免两路驱动共通损坏系统。
系统起机阶段,芯片内部栅极驱动电路下拉能力强,避免干扰引起的误开通。
03
电流跟踪技术支持500kHz工作
芯片会根据功率MOS电流ISD自适应调整驱动电压VGS,可在CCM下更快关断功率MOS,降低电压应力,支持500kHz高频化工作。
04
满足工业级JEDEC可靠性标准
通过工业级JEDEC可靠性标准测试,包括HTOL、ESD、Latch-up、TC等11个测试项目。
1►为提高系统ESD能力,芯片供电VDD脚外接RC滤波:R1推荐10Ω,C1推荐1uF。
2►建议参照下面的规则来设计PCB:
① 芯片VD/VS/VG脚要靠近对应的MOSFET的漏极、源极和栅极,不与功率走线重叠;
② 芯片两个VD/VS检测通道相互分离,检测回路尽可能小;
③ MOSFET布局和布线尽量对称,避免PN8604置于功率回路内部。
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