全球首款8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆诞生

　　业内传来最新消息，据湖北九峰山实验室称，于20日成功打造全球首款8英寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆。此创新成果采用8英寸SOI硅光晶圆和8英寸铌酸锂晶圆进行键合，每片晶圆集结了光电收发功能，成为现有全球顶级硅基化合物光电集成技术的代表之作。

　　它能够大批量生产具有超低损耗和超高带宽的高端光芯片，被誉为全球最优秀的光电集成芯片。该研究是由九峰山实验室携手行业关键合作伙伴共同完成，即将实现广泛的商业应用。

　　当前，业界针对薄膜铌酸锂的研发仍主要侧重于3英寸、4英寸以及6英寸晶圆的制备及其上面的微纳加工工艺。而此次九峰山实验室成功研制的这款8英寸硅光薄膜铌酸锂晶圆，首次实现了低损耗的铌酸锂波导、高速率电光调制器等多种芯片的集成。

　　这一突破性的成果无疑为薄膜铌酸锂光电芯片的制作和巨大规模的光子集成开辟了一条充满希望的产业化道路，并且为高性能光通信的应用场景提供了解决难题的有效科技途径。