Qorvo发布紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块

全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日发布了四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。

这些新推出的SiC模块专为电动汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用等设计，旨在提供卓越的性能和效率。其中，以9.4mΩ导通电阻的UHB100SC12E1BC3N模块为例，其采用了Qorvo独特的共源共栅配置，这一创新设计不仅大幅降低了导通电阻和开关损耗，还显著提升了整体效率。特别是在软开关应用中，这一优势更为明显。

Qorvo一直以其领先的技术和高质量的产品在行业内享有盛誉。这次推出的四款SiC模块进一步巩固了其在高效电源解决方案领域的领导地位。随着电动汽车和可再生能源市场的快速发展，这些新型SiC模块有望在未来几年内成为市场上的热门选择。