拓荆科技规划建设半导体设备产业化基地

　　3月1日，拓荆科技正式宣布，继战略布局与经营发展需求之后，为了进一步增加产能与优化产业布局，计划斥资11亿元到沈阳光南区建立全新产业基地。

　　根据公告内容，这个名为“高端半导体设备产业化基地建设项目”的项目将由拓荆科技与其子公司共同进行，涵盖千级生产洁净间、立体库房以及测试实验室等多项设施。项目完工后，有望大幅增强PECVD、SACVD、HDPCVD等高端设备的产量，满足未来市场对这些设备的大量需求，进而推动企业持续扩大业务规模，加强竞争优势。

　　本次建设计划，主要源于两个方面：一是符合国家经济发展策略，有助于巩固拓荆科技在行业中的领先地位；二是适应了市场需求变化，帮助他们抓住市场机遇。

　　项目预计投资额：全部投资约为11亿元人民币，其中拓荆科技出资3.8亿元，拓荆创益则投资7.2亿元。

　　预期投资渠道：拓荆科技拟减少已承诺投入的首发募投项目“先进半导体设备的技术研发与改进项目”和超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”的预算，共计2.5亿元，用于该新建项目。剩余部分均由拓荆科技与拓荆创益自行承担。