SK海力士正探索与与铠侠合作在日本生产HBM

HBM的竞争才刚刚开始。

 

据MoneyDJ报道，韩国存储器巨头 SK 海力士正在探索与日本 NAND 闪存制造商铠侠合作，生产用于人工智能应用的高带宽存储器 (HBM) 。预计生产将在铠侠与西部数据合资的日本工厂进行。另一方面，铠侠 将根据半导体市场状况及其与西部数据的关系评估拟议的合作。

该报告强调，HBM（一种主要用于人工智能服务器的 DRAM）在英伟达的带动下，在全球范围内的需求正在激增。此外，根据集邦咨询此前发布的新闻稿，2023年HBM三大原厂市占率分别为：SK海力士在46-49%、三星均在46-49%左右，美光则在4-6%左右。

对于SK海力士来说，利用铠侠在日本岩手县北上市和三重县四日市的现有工厂生产HBM将能够快速建立扩大的生产系统。

与此同时，铠侠和西部数据的日本合资工厂目前只生产NAND Flash。如果他们未来能生产出最先进的DRAM，也将为日本半导体产业振兴计划做出贡献。

该报告进一步指出，SK 海力士通过美国投资公司贝恩资本间接投资了铠侠约 15% 的股份。据报道，贝恩资本正在与 SK 海力士进行幕后谈判，寻求重启铠侠/西部数据 合并。然而，根据时事出版社报道中引用的消息来源，“这次合作和合并是两个单独的讨论事项。”

据朝日新闻此前报道，铠侠和西部数据预计将在4月底重启合并谈判。尽管去年秋天双方的合并谈判遇到了障碍，但双方都面临着扩大规模的生存压力。不过，双方最终能否达成合并协议仍存在不确定性。

根据TrendForce 2023年第三季度的数据，三星继续保持全球第一大NAND闪存制造商的地位，占据31.4%的市场份额。紧随其后的是SK集团，以20.2%的市场份额位居第二。西部数据以16.9%的市场份额占据第三位，而日本的铠侠则占据14.5%的市场份额。

HBM的概念的起飞与AIGC的火爆有直接关系。

AI大模型的兴起催生了海量算力需求，而数据处理量和传输速率大幅提升使得AI服务器对芯片内存容量和传输带宽提出更高要求。HBM具备高带宽、高容量、低延时和低功耗优势，目前已逐步成为AI服务器中GPU的搭载标配。

目前，HBM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，最新的HBM3E是HBM3的扩展版本。

SK海力士无疑是这波内存热潮中的最大受益者。SK海力士在2023年度财报当中就曾表示，2023年在DRAM方面，公司以引领市场的技术实力积极应对了客户需求，公司主力产品DDR5 DRAM和HBM3的营收较2022年分别成长4倍和5倍以上。

近日，SK海力士副总裁Kim Ki-tae（金基泰）在一篇博文中表示，虽然2024年才刚开始，但今年SK海力士旗下的HBM已经全部售罄。同时，公司为了保持市场领先地位，已开始为2025年预作准备。

金基泰解释称，虽然外部的不稳定因素仍在，但今年内存市场有望逐渐加温。其中原因包括，全球大型科技客户的产品需求恢复。此外，PC、智能手机等设备对于的AI应用，不仅会提升HBM3E销量，DDR5、LPDDR5T等产品需求也有望增加。

值得一提的是，在去年12月底财报会议上上，美光CEO Sanjay Mehrotra对外透露，得益于生成式AI的火爆，推动了云端高性能AI芯片对于高带宽内存（HBM）的旺盛需求，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。其中，2024年初量产的HBM3E有望于2024会计年度创造数亿美元的营收。

金基泰强调，HBM的销售竞争力也是基于“技术”。这是因为，为了及时应对AI内存需求快速增长的市场形势，首先确保客户所需的规格最为重要。其次，察觉市场变化并提前做好准备也很有效。

如此来看，高阶HBM的竞争才刚刚开始，虽然目前HBM产品占整体存储的出货量仍然非常小，长期来看，随着消费电子产品向AI化发展，对于高算力、高存储、低能耗将是主要诉求方向，鉴于此预计HBM也将成为未来存储厂商的技术发展方向。



审核编辑：刘清