JEDEC发布GDDR7显存标准，带宽提高两倍，最高达192GB/s

　　3月6日消息，固态技术协会JEDEC近日公布了全新的JESD239 GDDR7显存标准（Graphics Double Data Rate），相比GDDR6，新规带来了双倍的带宽表现，单机承载能力最高可达每秒192GB。

　　据了解，JESD239 GDDR7首次采用了脉幅调制（Pulse Amplitude Modulation，PAM）接口以实现高效的高频操作，增强了信号噪声比，降低能源消耗。该标准利用三级（+1，0，-1）的2周期交互传输3比特数据，相较于传统的NRZ（非归零码）接口的2周期交互传输2比特，显著提升了每个循环的数据吞吐量，进而提升整体性能。

　　该标准还具备以下高端特性：

　　核心独立LFSR（线性反馈移位寄存器）训练模式配备眼睛屏蔽和错误计数器，能有效提高训练精度并缩短训练时间。

　　独立通道数量由GDDR6的两个翻番至四个。

　　支持16至32 Gbit的密度跨度，包含2通道模式，以此提高系统容量。

　　加入最新数据完整性功能，包括实时报告的片上纠错、数据中毒、错误检查及清除及带命令阻塞的命令地址奇偶校验（CAPARBLK），满足RAS（ reliability、availability、serviceability）的市场需求。

　　JEDEC董事会主席Mian Quddus表示：“JESD239 GDDR7代表着高速显存设计的一大突破。转向PAM3信号，为显存产业拓宽了GDDR设备性能提升的新路径，助推图形与各类高性能应用保持持续发展。”

　　JEDEC GDDR小组委员会主席Michael Litt指出：“GDDR7颠覆以往仅关注带宽，而是通过结合最新数据完整性功能以达到RAS市场要求，这些功能使GDDR设备更顺利地满足现有的云游戏和计算机处理等市场需求，并向AI领域拓展。”

　　此外，根据公告信息透露，AMD、美光、英伟达、三星、SK海力士均对这一标准表示全力支持。其中，三星和美光业已规划下一代GDDR7模块研发项目。三星设定的目标时速为32 Gbps，这意味着性能提升率将达到1.6倍；美光方面，其目标则是研发24 Gb+ 32 Gbps系列芯片。美光在近期的路线图里亦表明，预计到2026年，将推出达到36 Gbps及24Gb+的显存芯片产品。