SK海力士斥资10亿美元，加码先进芯片封装研发以满足AI需求

　　SK海力士正着重投资先进芯片封装领域，旨在应对AI开发所需的高带宽存储器（HBM）日益增长的需求。

　　据封装研发负责人李康旭副社长（Lee Kang-Wook）介绍，SK海力士已在韩国投入逾10亿美元扩充及改良芯片封装技术。精心优化封装工艺是HBM获青睐的重要原因，实现了低功耗、提升性能等优势，提升了SK海力士在HBM市场的领军地位。

　　尽管今年的资本支出预算尚无公开信息，但分析师普遍预测约为14万亿韩元（105亿美元），先进封装研发预计占据10%以上，属首要任务之一。

　　金融科技专家李副社长认为，半导体业未来50年的重心将由前端（芯片设计和制造）转向后端工艺（封装）。他率领团队推动第三代HBM技术HBM2E新颖封装方式的开创与发展，历经艰险，成功研发出名为大规模回流模塑底部填充（MR-MUF）的高端封装技术，助力提升散热效率及产量。李副社长透露，SK海力士正全力推进MR-MUF和TSV（硅通孔）技术。

　　目前，全球其他两家主要HBM制造商也在紧随其后。美光于2月底宣称已着手大规模生产24GB 8-Hi HBM3E，并将于2024年第二季度用于英伟达H200 GPU；三星则宣布36GB 12-Hi HBM3E产品开发已然完工，计划在2024年上半年启动量产，而SK海力士则准备在2024年第一季度至第二季度初推出HBM3E。