在智能BMS应用中,客户往往面临比较多的痛点,其一是低边MOSFET作开关时会将GND分开,做不到连续性;其二是在使用高边MOSFET作开关时其驱动变得较为复杂。
传统的设计方案有以下几种:
使用PMOSFET作为功率开关,优点是易于驱动,缺点是成本较高;
使用专用的高边开关驱动,此种方式应用较为广泛,且比较成熟,但是限于半导体的工艺设计,在高压电池包中应用受限;
隔离驱动,优点是兼容高低压的电池包,并且可以阻断电机刹车时的反电势。
下面首先介绍基于无锡明芯微电子MX6501T的推挽隔离电源驱动方案
如上图所示,QC和QD分别是BMS在高侧应用的充电管和放电管,其驱动电压分别由两路来自于MX6501T的隔离电源产生。而充电管和放电管的驱动信号分别来自于AFE产生的充放电开关信号CHA-DRV和DIS-DRV,二者在经过光耦隔离后利用MX6501T产生的隔离电源进行充放电的开关动作。
MX6501T除了应用于BMS以外,还可以用于光伏逆变、隔离通信、电动工具、汽车电子等领域。
另外,若用户需要的MOSFET的驱动能力较小,且对驱动电压要求精度不高,可以采用无锡明芯微MX6501T+MXPP8-30-1103套片实现一拖二的12V转12V隔离驱动方案或者MX6501T+MXPP8-30-1250套片实现一拖二的5V转12V隔离驱动方案,原理图如下所示:
审核编辑 黄宇
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