Micro LED又一重大突破：光效率高达53%，克服耐用性挑战

 

WitDisplay消息，汉阳大学于3月7日宣布，汉阳大学纳米光电子学系ERICA教授Jong-in Shim和Dong-soo Shin教授、ZOGAN Semi的Woong-ryeol Ryu博士和韩国化学工业大学的Jong-hyeop Baek博士组成的团队韩国光子学与技术研究所的光学半导体显示研究部门开发出技术来克服超细 Micro LED 光效率和耐用性的挑战。

通过这项研究，研究团队同时解决了开发超高分辨率Micro LED显示器的最大挑战：20μm以下的超细氮化物半导体LED芯片出现的低功率转换效率以及性能显着恶化的耐用性问题随着驾驶时间的增加。

通过引入非接触式光致发光和拉曼光谱分析技术，研究团队确定Micro LED芯片的技术问题是由刻蚀壁上出现的缺陷电荷与外延层应力之间的相互作用引起的。在这项研究中，通过在氮化物半导体上外延生长氧化物半导体，可以控制外延应变，使其与蚀刻壁上的缺陷电荷量无关，而蚀刻壁对工艺或操作条件敏感。

团队开发的直径为20μm和10μm的蓝光Micro LED为水平芯片单封装，经认可测试实验室测得的外量子效率（EQE）分别高达53%和45%，即使在1A/cm2的低电流范围，展现了世界上最好的品质。（图1）。此外，即使在没有散热的加速耐久性测试（100A/cm2，超过20小时）中，也证实了优异的稳定性，性能也没有变化。（图2）。

Jong-in Shim表示：“通过这项新开发的技术，我们不仅重新建立了作为下一代显示器的核心半导体元件而备受关注的Micro LED的工作原理，而且还展示了世界一流的技术，我认为这将为确保国际竞争力做出重大贡献。”

这项研究是在韩国产业通商资源部国家标准技术改进项目、光融合产业全球竞争力强化项目和超大型模块化显示技术开发项目的支持下进行的。

 

审核编辑：刘清