深度拆解iPhone 12内部构造与细节

白蓉生:5G强劲需求PCB盛况空前(6)—iPhone12的拆解与细说（上）

四、NO.2切样各刀次的说明

4.1 NO.2切样右侧第一刀说明（1）

图24下大图为NO.2切样，右侧第一刀可见到所中夹的双面板，是以单通孔的顶垫先焊十层板再用底垫去焊八层板。不过十层板顶层所贴焊白色外观的大模块，却无法从网站中查出是何种器件。从上三图可见到双面板纵横比7/1的通孔均已填塞树脂与削平及化铜后的电铜加盖与20层板的上下銲点。此狭窄外框式的双面板是由15张较粗的玻纤布所组成，深通孔与树脂塞孔当然是为增强刚性减少强热中的弯翘而设想。

4.2 NO.2切样右侧第一刀说明（2）

由本节双面板的单通孔为了高温中刚性更好起见，不但要满塞与削平树脂而且还要上下化铜与盖铜才能成为焊垫。从图25右400倍放大接图可见到树脂塞孔质量良好，两次强热上下盖铜处均未出现浮离堪称技术到位。放大3000X的左两图可做为ENIG焊接质量的评比；①中夹双面板孔顶銲垫两次强热后IMC（Ni3Sn4）生长良好，至于孔底只焊一次处亦有少许IMC，故知双面板ENIG成绩最好；②底部八层板承垫虽只焊一次却也生长少许IMC排名居次；③至于十层板虽经两次强热竟然都长不出IMC来，说明其质量最差。

4.3 深通孔塞树脂又盖铜者经多次强热之失效

图26中，图①与图②即为某种树脂塞孔又盖铜的板类，遭多次强热拉扯后出现松散沙铜与化铜被拉裂的画面。各内环开裂的沙铜或化铜式ICD，由于切片技术不到位以致经常被业者们长期误判为胶渣。图③可清楚分辨较红的沙铜与偏黑的化铜（先有活化黑钯后有红化铜重叠所致）两者呈现的差异。图④为放大3000倍明场偏光加微分干涉所取得蓝色电镀铜的清楚画面。由于塞孔树脂必须先做除胶渣与PTH金属化才能电镀铜，一旦铜面清洗不足留有残钯者，则必然会沉积上松散的化铜，考试板或多次强热者难逃拉裂。

4.4 NO.2右侧第二刀的说明

从图27上列大图可见到左端中夹双面板为单孔上下焊接，但右端却出现无孔的四个銲点（中二图即为其放大图）的互连。不过大接图顶部6个QFN銲点的模块却查不出是何器件（是否为Flash？）。此外大接图空腔内切片的二次填胶却为各刀画面的首屈一指。

4.5 三片单板针对ENIG可焊质量的比较（1）

图28右图为NO.2切样右侧第二刀双面板无孔的四个銲点，左两图即为其2号与4号銲点的400X画面对比情形。从IMC生长程度与热量成正比的原理来看，三片板ENIG的銲点强度显然以中夹双面板排名第一，八层板排二，十层板居末。由原理可知ENIG长不出良性IMC（Ni3Sn4）的根本原因有二：①热量不足；②金层太厚或金面太脏。从左下图两次强热双面板的IMC虽甚良好，但十层板却几乎几无反应IMC极少，故知十层板的金层不是太厚就是太脏所造成。

4.6 三片单板针对ENIG可焊质量的比较（2）

ENIG焊接强热中黄金会最快最先溶入液态銲料形成AuSn4，此种有害无益的IMC还会自动远走而有利于底镍与銲料的反应。金走完后EN界面才会出现三种不同却混成一团的IMC：①具有强度小草状埋藏在内的Ni3Sn4；②距EN较近的三元IMC/(Ni,Cu)3Sn4；③距EN较远的三元IMC/(Cu,Ni)6Sn5。通常抛光所看到的多半是三种IMC的混合物。（图29）

4.7 三片单板针对ENIG可焊质量的比较（3）

为了彻底看清ENIG銲点中混成一团的IMC起见，刻意把排名第一的双面板与排名居次的八层板，将两者组成的大銲点小心多次抛光进行对比；终于可见到图30中图③刻意放大到3000X的图中双面板出现了小草状Ni3Sn4与残金层的画面，由于期刊排版面积的限制，不然此图③电子档在数次加倍放大下对两者的IMC还会看得更清楚。

4.8 三片单板针对ENIG可焊质量的比较（4） 从图31上銲点图可知双面板ENIG的可銲性与銲点强度两者质量均远胜于十层板，通常出货板銲点强度的好坏不一定在下游焊接时看得出来，换句话不太好也算好了。然而只要是推球拉球等考试板关头则优劣立判无所遁形。下三图说明ENIG所长出的IMC很复杂：①有强度小草状的Ni3Sn4；②距EN较近强度不足的三元 (Ni,Cu)3Sn4；③距EN较远强度不足的三元 (Cu,Ni)6Sn5。通常切片不管是光镜或是电镜都看不清各种IMC的原因就是抛光不到位所致。

4.9 QFN焊点多半有洞与模料的高低不平（1） 图32上图为NO.2十层板外所贴焊之未知大模块（Flash？），可见到是利用6个QFN贴焊在十层板上。从中列两图可见到②号銲点与③号銲点的四层载板竟然产生波浪状变形。还可从下左图见到②号銲点的翘起画面与焊洞，下右图居然出现两个大洞。读者请注意两张软锡画面中三个空洞边缘的清晰不糊，那正是FA切片师的功力所在。

审核编辑：黄飞