HBM竞争越来越激烈,三星不得不低头。 5位消息人士称,三星电子计划使用竞争对手SK海力士(SK Hynix)倡导的芯片制造技术,因为这家世界顶级存储芯片制造商寻求在生产用于为人工智能(AI)提供动力的高端芯片的竞赛中迎头赶上。
随着生成式 AI 的日益普及,对高带宽内存(HBM)芯片的需求激增。但与同行SK海力士和美光科技不同,三星在与AI芯片领导者英伟达(Nvidia)达成的提供最新HBM芯片的交易中一直引人注目。
分析师和行业观察人士称,三星落后的原因之一是它决定坚持使用称为非导电薄膜(NCF)的芯片制造技术,这会导致一些生产问题,而海力士则改用质量回流模压底部填充胶(MR-MUF)方法来解决NCF的弱点。
然而,三星最近发布了旨在处理MUF技术的芯片制造设备的采购订单,3位直接了解此事的消息人士称。
“三星必须采取一些措施来提高其HBM产量......采用MUF技术对三星来说有点不得已而为之,因为它最终遵循了SK海力士首次使用的技术,”其中一位消息人士说。
据几位分析师称,三星的HBM3芯片产量约为10%~20%,而SK海力士的HBM3产量约为60%~70%。
HBM3和HBM3E是HBM 芯片的最新版本,需求旺盛。它们与核心微处理器芯片捆绑在一起,以帮助在生成式 AI 中处理大量数据。
一位消息人士称,三星还在与包括日本长濑在内的材料制造商进行谈判,以采购MUF材料,增加使用MUF的高端芯片的大规模生产最早要到明年才能准备就绪,因为三星需要进行更多的测试。
三位消息人士还表示,三星计划在其最新的HBM芯片中使用NCF和MUF技术。
三星表示,其内部开发的NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”,将用于其新的HBM3E芯片。“我们正在按计划开展HBM3E产品业务,”三星表示。
英伟达和长濑拒绝置评。 三星使用MUF的计划凸显了其在AI芯片竞赛中面临的越来越大的压力,根据研究公司TrendForce的数据,由于AI相关需求,HBM芯片市场今年增长了一倍多,达到近90亿美元。
NCF与MUF技术
非导电薄膜芯片制造技术已被芯片制造商广泛使用,用于在紧凑的高带宽存储器芯片组中堆叠多层芯片,因为使用热压缩薄膜有助于最大限度地减少堆叠芯片之间的空间。
但是,随着添加更多层,制造变得复杂,经常存在与粘合剂材料相关的问题。三星表示,其最新的HBM3E芯片有12个芯片层。芯片制造商一直在寻找替代方案来解决这些弱点。
SK海力士率先成功改用质量回流模压底部填充胶技术,成为第一家向英伟达供应HBM3芯片的供应商。
KB Securities分析师Jeff Kim表示,SK海力士今年在英伟达HBM3和更先进的HBM产品中的市场份额估计将超过80%。
美光加入了高带宽内存芯片竞赛,宣布其最新的HBM3E芯片将被英伟达采用,为后者的H200 Tensor芯片提供动力,该芯片将于第二季度开始发货。
三星的HBM3系列尚未通过英伟达的供应交易资格,据四位消息人士之一和另一位知情人士透露。三星在人工智能芯片竞赛中遭受的挫折也引起了投资者的注意,其股价今年下跌了7%,落后于SK海力士和美光,后两家分别上涨了17%和14%。
SK海力士继续发力
SK海力士高级封装开发主管Hoyoung Son以副总裁的身份表示:“开发客户特定的AI存储器需要一种新的方法,因为该技术的灵活性和可扩展性变得至关重要。”
在性能方面,具有1024位接口的HBM内存发展得相当快:从2014– 2015年的1GT/s数据传输速率开始,到最近推出的HBM3E内存器件达到9.2 GT/s – 10 GT/s。使用HBM4,内存设置为转换为2048位接口,这将确保带宽比HBM3E稳步提高。
但据Hoyoung Son称,有些客户可能会从基于HBM的差异化(或半定制)解决方案中受益。
“为了实现多样化的AI,AI内存的特征也需要变得更加多样化,”Hoyoung Son在接受BusinessKorea采访时说:“我们的目标是拥有能够应对这些变化的各种先进封装技术。我们计划提供能够满足任何客户需求的差异化解决方案。”
对于2048位接口,许多HBM4解决方案可能是定制的,或者至少是半定制的,基于我们从有关即将推出的标准的官方和非官方信息中了解到的信息,一些客户可能希望继续使用中介层(但这次它们会变得非常昂贵),而另一些客户则更愿意使用直接键合技术将HBM4模块直接安装在逻辑芯片上,这种技术也很昂贵。
制造差异化的HBM产品需要复杂的封装技术,包括(但不限于)SK海力士的MR-MUF技术。鉴于该公司在HBM方面的丰富经验,它很可能会想出其它东西,尤其是差异化产品。
Hoyoung Son说:“我们的目标是拥有一系列先进的封装技术,以应对不断变化的技术格局。展望未来,我们计划提供差异化的解决方案,以满足所有客户的需求。”
审核编辑:黄飞
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