据彭博社3月15日报道,三星电子有望从美国政府获得逾60亿美元的《CHIP》法案补贴。该公司目前正在美国得克萨斯州新建一座工厂,此前计划于今年7月开始大规模制造4纳米制程产品,然而最新消息表明,这一工期或将推至2025年。未来数十年内,三星计划在德州兴建11家半导体生产基地,并扩建现有的奥斯汀综合性园区。
据彭博社披露,三星与美国相关机构已经达成初步意向,预计得到的60亿美元补贴不只局限于德州工厂项目。
据悉,他们尚无明确披露补贴的使用方向。据此前报道,英特尔得到100亿美元,台积电获批50亿美元,而全球第四大半导体代工公司格芯也获批15亿美元,若三星得到的60亿美元计入其中,剩下的资助份额可谓所剩无几。
美国为此制定了高达280亿美元的先进光刻技术研发投资计划,仅此四项预算即耗资近225亿美元。另外,美方考虑以借款形式追加750亿美元的财政援助。
然而,据知情人士称,三星方面似乎对此类贷款或预付款并不感兴趣。美国官方将于下周揭晓对英特尔的具体补贴金额,其余企业的申请或将在下周获核准。
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