本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI。
SOI(Silicon-On-Insulator)晶圆是绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅晶圆,在最先进的 MEMS、电源和射频器件制程中经常会用到。
但是,SOI又分为两种常见类型:FD-SOI与PD-SOI。那么他们的区别在哪?
FD-SOI与PD-SOI分别是什么?
在PD-SOI(Partially Depleted SOI,部分耗尽SOI)结构中,沟道单晶硅厚度与埋入层厚度较厚,一般沟道单晶硅厚度为50nm-100nm,埋入氧化层厚度为100-200nm。如图:
靠近绝缘层的区域会形成耗尽区,而距离绝缘层较远的区域仍然含有自由电荷,形成一个未耗尽的区域。
而FD-SOI(Fully Depleted Silicon-On-Insulator,全耗尽SOI),又叫做UTB(超薄体)SOI,其沟道单晶硅与埋入氧化层厚度是极薄的,一般沟道单晶硅厚度为10nm,埋入氧化层厚度为20nm。由于沟道单晶硅的厚度非常薄,不需要对其进行掺杂,从而完全耗尽了载流子。
FS-SOI与PD-SOI的对比
种类 | 优点 | 缺点 |
PD-SOI | • 晶圆生产简单 | • 浮体效应 |
• 生产成本低 | • 迟滞现象 | |
• 关断电流较大 | ||
• 扭结效应 | ||
FD-SOI | • 防止短沟道效应 | • 自热效应 |
• 运算速度快 | • 晶圆成本高 | |
• 利用体偏置效应 |
上表中,
浮体效应:在PD-SOI晶体管中,未耗尽的体区可以存储电荷,这导致器件阈值电压随时间变化而变化,影响晶体管的稳定性。
迟滞现象:由浮体效应引起的电荷积累会在I-V曲线上造成迟滞现象。
关断电流较大:未耗尽的单晶硅可以增加晶体管在关闭状态下的漏电流,这对功耗有负面影响。
自热效应:由于FD-SOI的绝缘层阻碍了热量散发,会导致晶体管的自我加热,这可能影响FD-SOI的性能。
利用体偏置效应:FD-SOI可以动态调整阈值电压,通过体偏置来优化性能和功耗,从而实现晶体管的更快切换。
审核编辑:刘清
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !