意法半导体携手三星打造创新突破，推出18纳米高性能微控制器(MCU)

　　近日，意法半导体公司宣布，将推出一种基于18纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)技术的新进工艺，这一技术还配备了嵌入式相变存储器(ePCM)，意在为下一代嵌入式处理设备提供强大支持。该技术是意法半导体与三星代工厂合作研发的成果，它将大幅提升嵌入式处理应用的性能和功耗效率，同时还能实现更大的内存容量和更高水平的模拟与数字外设集成。

 

　　意法半导体微控制器、数字IC和射频产品部总裁Remi El-Ouazzane表示，意法半导体一直走在半导体行业创新的前列，特别是在为汽车和航空航天应用提供FDSOI和PCM技术方面。现在，他们准备迈出下一步，从下一代STM32微控制器开始，把这些技术的优势带给工业应用的开发者们。

　　与目前采用的ST 40nm嵌入式非易失性存储器(eNVM)技术相比，新的18nm FD-SOI技术搭载ePCM，将在以下方面实现显著提升：

　　1.功耗比提高超过50%;

　　2.非易失性存储器(NVM)密度提高2.5倍，能实现更大的片上存储；

　　3.密度提升三倍，可集成人工智能和图形加速器等数字外设，以及最先进的安全功能；

　　4.无线MCU的射频性能得到3dB的系数改善。

　　此外，这项技术还能够在3V电压下运行，支持电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器等模拟功能，是目前20纳米以下唯一能支持此功能的技术。它还凭借强大的高温操作、辐射硬化和数据保留功能，在汽车应用中已获验证，为工业应用提供了所需的可靠性。

 

　　新技术支持的微控制器将为开发人员带来高性能、低功耗和大内存容量的无线MCU，以满足边缘人工智能处理、多协议射频堆栈、无线更新和高级安全功能不断增长的需求。这将使得当前使用微处理器的开发人员能够选择更高集成度、更具成本效益的微控制器，进一步提升超低功耗设备的能效。意法半导体的这一新产品组合将进一步巩固其在行业中的领先地位。

　　预计首款基于新技术的STM32微控制器样品将在2024年下半年提供给选定客户，计划于2025年下半年开始投入生产。