英伟达对三星HBM3E进行测试，海力士仍稳坐HBM市场头把交椅

　　韩国《朝鲜日报》报道，尽管英伟达首席执行官黄仁勋已开始测试三星的HBM3E，但尚未正式采用。实际上，SK海力士仍然在该领域独占鳌头。

　　报道透露，黄仁勋曾在英伟达的年度会议“GTC 2024”上，巡视各参展厂商。当他查看三星电子的HBM3E展览时，亲笔写下了“Jensen Approved”的字样。对此，三星电子美洲区副总裁金满汉在领英平台上传了一渲染图，配文表示：“黄仁勋亲自批准三星电子的HBM3E。”

　　然而，就在前一日，面对记者关于三星电子HBM的提问，黄仁勋回答：“我们尚未启用，正进行资格认证。”

　　现如今，SK海力士为英伟达AI半导体提供主要HBM产品，同时自去年起，美光公司也加入了该供应阵营。据悉，相比其他竞争对手，三星电子在HBM授权上大约晚了一年有余。

　　针对此事，一名半导体行业观察人士提出：“英伟达采用HBM3E或许意在激励制造商们的积极性。这个变化背后的意义扑朔迷离，但显然，多家供应商将展开激烈角逐。”

　　对比三星电子与SK海力士在HBM市场竞争力，根据ChosunBiz的统计显示：尽管两者共同占领了该市场，但SK海力士以近90%的市场份额领跑于高端第四代HBM（HBM3）市场（依据TrendForce的数据）。

　　值得注意的是，HMB的平均售价是DDR4DRAM的五倍之多。因此，随着SK海力士于去年第四季度在全球半导体存储市场重新盈利，HBM功不可没。

　　在HBM市场方面，双方的竞争焦点集中在第三代HBM（HBM2E）。尤其是SK海力士抢先引进了TSV制程中具有技术难度的Mass Reflow Molded Underfill（MR- MUF）技术。此项技术不仅避免了堆叠芯片间的直接接触，提高了系统效率，而且还改善了芯片散热性能，使SK海力士在这一领域更具优势。