AO8810 TSSOP-8 共漏双n通道增强模场效应晶体管

概述
AO8810/L采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。它是ESD保护。AO8810和AO8810L的电性相同。-符合RoHS标准-AO8810L不含卤素

特征
VDS (V) = 20V
ID = 7 A (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 21mΩ (VGS = 4.0V)
RDS(ON) < 22mΩ (VGS = 3.1V)
RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 2.5V)
RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 1.8V)
ESD Rating: 2000V HBM

 

 

 

 

 

审核编辑 黄宇