瑞萨电子开发出40奈米快闪记忆体IP

 

　　快闪记忆体设计技术之半导体解决方案供应商瑞萨电子(Renesas Electronics)，已开发出40奈米(nm)记忆体智慧财产权(IP)，首度使用此技术在汽车应用领域，并推出嵌入式快闪记忆体微控制器(MCU)。其将于2012年秋季开始供应样品。

　　快闪记忆体金属氮氧矽(MONOS)技术为可扩充技术，40奈米快闪记忆体测试元件的评估后，已证明其在资料保存、程式/抹除周期耐受性及程式设计时间三参数上，均能表现优异的特性。40奈米制程节点可整合多种与安全相关的功能性与通讯介面。

　　瑞萨电子的40奈米快闪记忆体IP，能保存资料20年，并最高可在170℃结合温度下进行读取。此外，程式码快闪记忆体支援120MHz读取速度，而资料快闪记忆体即使在125,000次程式/抹除周期后，仍可达到20年资料保存期。