2011年DRAM产业六大重要事件回顾

 

　　根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门 DRAMeXchange 的调查，虽然时序进入 12月下旬传统 PC 出货淡季， 12月下旬合约价格与上旬相较呈现持平的价格走势， DDR3 4GB均价维持于16.5美元， DDR3 2GB均价亦守9.25美元，合约价于下半年漫长的跌幅走势中总算于年末出现止跌的迹象，2Gb颗粒在均价维持0.88美元。

　　从市场面来观察，虽然还没有明确实证指出明年首季有显著的需求回升，但受惠于先前数家DRAM厂陆续减产所造成的产出缩减，有少数 PC OEM 为避免受到后续供货不足影响，已经增加 DRAM 购买数量。由于中国农历年已经即将到来，预计2012年一月的成交数量受到工作天数减少影响将会略显清淡，所幸先前减产的效应会逐渐显现，加上硬盘缺货的疑虑逐渐消散，DRAM合约价格可望于短期内呈现相对平稳的走势。

　　DRAMeXchange 表示，2011年对于DRAM产业实属充满不确定性因素的一年，不仅是天灾频传，陆续造成DRAM供给与需求的冲击以外，由于 PC 产业受到平板电脑崛起所造成的生态变化，对 DRAM 的消耗量产生重大的影响，消费者追求轻薄的硬件需求，令对内存的需求大幅趋缓，造成下半年供过于求的严峻态势。以下是集邦科技对 2011年DRAM产业重大事件的回顾：

　　1. 2011 DRAM合约颗粒价格跌幅达58%，现货价格跌幅更高达70%──2011年DRAM 2Gb合约颗粒价格，自五月高点2.13美元下跌至今0.88美元，跌幅达58%，现货市场价格更从年初2.32美元下滑至0.7美元，跌幅更高达70%，颗粒价格直逼2008年金融风暴低点。

　　2. 2011年下半年开始DRAM厂陆续宣布减产──由于DRAM颗粒价格跌幅过大，甚至跌破现金成本，DRAM厂在下半年陆续宣布减产，2011年自年初高点1300K下修至约1030K，减幅约21%，其中台系DRAM厂投片减幅甚至高达44%，影响最大。

　　3. 次世代制程转进难度增加，DRAM厂差距逐步扩大──制程转进伴随着的是庞大的研发费用，如三星已逐渐跨入20nm制程，海力士与尔必达则是于下半年积极转进30nm制程，反观台系厂商仍在40nm甚至50nm制程，如此差距下，台系厂仍苦思未来发展方向。

　　4. 日本311大地震重创DRAM产业上游供应链──日本东北大地震冲击，冲击硅晶圆的供给及后续限电的措施，当时全球DRAM产出造成影响，尤其以越后半导体的福岛白河厂与SUMCO的山形米泽厂影响最为严重，亦让当时的硅晶圆的产出充满不确定的因素。但缺货的疑虑很快随着硅晶圆厂的复工而消散，导致DRAM价格于5月份起一路下滑至年底。

　　5. 台系DRAM厂逐步退出标准型DRAM市场，转型代工及非标准型DRAM业务──标准型DRAM市况严峻，台系DRAM纷纷退出市场，如茂德因财务问题大幅减产，力晶转型代工及非标准型DRAM业务，南科与华亚科则是减少投片以求渡过DRAM产业寒冬。

　　6. 泰国洪灾冲击硬盘供应链，进而影响PC出货甚至DRAM价格──第四季末泰国洪灾影响硬盘出货，其中以WD受创最为严重，Seagate及Hitaichi虽未受到严重冲击，但因受到洪灾关系影响该地交通导致出货不顺，整体全球所造成的缺口约在10~20%。所幸受惠于硬盘厂的实时反应，复工状况良好，根据集邦科技的预估，硬盘的缺口预计将在2012年2月复原，缺货所造成的冲击可望得到完全纾解。