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美国拉斯韦加斯国际消费性电子大展(CES)即将登场,钰创科技(Etron Technology)将于展会上发表高速四埠(4-Port) EJ198 USB3.0主端控制芯片(Host Controller)、兼具速度及成本效益的四埠EJ188 USB3.0主端控制芯片,以及全新二通道(2-Channel) eV268 USB3.0快闪记忆碟控制芯片(Flash Drive Controller)等新产品。
钰创科技表示,新系列产品皆透过该公司自主研发 USB3.0 硬件暨软件技术所开发完成,分别能提供系统客户 USB 3.0 主端与装置端(Device)芯片之完整解决方案(Total Solution),再加强钰创科技在 USB 3.0应用市场上最先进之IC领导厂商,更提供许多用钰创产品之策略客户取得多方位双赢之成果。
钰创EJ198 USB3.0主端控制芯片,为PCIe Gen 2至USB3.0之主端控制芯片,符合PCIe Gen 2及USB3.0规范,并支持INTEL正式版的xHCI (eXtensible Host Controller Interface) 1.0接口标准,可确保系统拥有最佳兼容性、较低功耗,并展现最优异的性能。由于EJ198拥有两个PCIe Gen2 通道 (PCIe Gen 2 x 2 Lanes),支持每通道5Gbps之传输速率,在全双工传输模式运行下,可提供最高达每秒10Gbps的整体传输带宽。
钰创同时推出EJ188 USB 3.0主端控制芯片,该产品亦为PCIe Gen 2至USB3.0主端控制芯片,而与EJ198最大的不同点在于,只支持一个PCIe Gen2 通道(PCIe Gen 2 x ?1 Lane),即便是只使用一个PCIe Gen2 信道,其传输速率也能达每秒传输速率5Gbps,符合USB3.0 5Gbps的理论速度优化的需求,目前已获得重要厂商导入使用。在硬件规格上,EJ198及EJ188皆拥有四个USB3.0端口,皆可向下兼容USB2.0/ 1.1模式;采用88-pin QFN封装,外部尺寸10 x10mm。
在钰创USB 3.0主端产品成为市场主流之同时,该公司也开始推出装置端的新产品,此次发表的是符合快闪记忆碟应用之高效能eV268 USB3.0闪存控制芯片系列,使用独特腔二信道闪存接口,配合先进的交错技术与32位RISC微控制器核心,可使USB 3.0快闪记忆碟达到比同类产品更高传输速度与效能,而60位之纠错能力(ECC)可支持多家闪存大厂于 3X nm,2X nm及1X nm先进制程之SLC/ MLC/ TLC NAND Flashes。
其中支持至8CE的eV268H兼具速度及成本效益的优势,而支持16CE的eV268K在搭配同步式MLC闪存时,更缔造全球最快读取传输速率,达每秒230 Mega Bytes以上的世界级佳绩,目前已获得主要客户导入使用中。
为了强化在USB3.0市场竞争的优势,钰创科技从主端到装置端陆续推出新产品,期使在USB3.0新世代产品上提出最完整之解决方案以供客户使用。透过SoC平台发展双埠及四埠USB3.0主端控制芯片,包括:EJ168、EJ188、EJ198,皆具备简单便捷的系统整合优势,提供高速度、低成本等多样化选择,是系统厂商快速开发多方位USB3.0产品的最佳IC产品策略合作伙伴。
而跨足装置端率先推出eV268 USB3.0快闪记忆碟控制芯片新产品,以先进的Flash高效能储存技术,结合其USB 3.0物理层(PHY) 及控制层(Controller) IP及软件技术优势,透过主端与装置端的无缝整合(Seamless Integration),能够有效发挥其超高速USB3.0在Flash应用上的最佳产品效能。钰创科技USB3.0之硬件及软件技术所开发完成之单芯片及友善平台,加速客户开发USB3.0主端与装置端多元产品线,共创双赢。
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