如何进行RF PA Ruggedness的测试和评估呢？

 

关于PA ruggedness设计测试问题，先介绍一下原理，如何进行ruggedness的测试和评估。

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测试背景

 

在iphone4时代，当手握住手机并且用手掌接触到它两部外处天线的时候，手机信号就会变得很弱，甚至消失，那时这种握法被人们戏称为“死亡之握”。

实际上即使到现在，基于手机天线安装的位置，手持特定部位造成的影响会比其他部位更严重，这是任何一款手机都必须面对的问题。

这涉及天线阻抗变化导致射频前端器件发生性能变化，从而导致信号变差，出现PA负载过大，烧毁等极端情况发生。另外，终端产品（手机、平板、路由器等）在实际使用过程中可能会出现天线损坏或者内部射频线路损坏等情况，也会导致PA负载不匹配，从而烧毁。而这种情况就让各个厂商开始重视PA产品ruggedness指标测试。

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相关理论

阻抗变换、史密斯圆图、反射系数、VSWR

串联L,阻抗点沿着等电阻圆右旋移动。

串联C,阻抗点沿着等电阻圆左旋移动。串联R,阻抗点沿着等电抗圆移动。

并联L,阻抗点沿着等电导圆左旋移动。

并联C,阻抗点沿着等电导圆右旋移动。并联R,阻抗点沿着等电纳圆移动。

反射系数 P	回波损耗 RL	驻波比 SWR	复反射系数： 「= (ZL-ZO) / (ZL+Z0)  = p(sinθ+jcosθ)  其中：幅度p在0～1之间(p为标量反射系数) 反射波相对于入射波的相角θ在+180°~-180°之 间 定向耦合器： 耦合度(dB)=10Ig(P1/P3)  隔离度(dB)=10lg(P1/P4)  方向性(dB)=10Ig(P3/P4) 隔离度一耦合度=方向性 其中：P1为输入端口功率， P3为耦合端口输出功率， P4为隔离端口输出功率
1.00	0.00
0.90	0.92	19.00
0.80	0.94	9.00
0.70	3.10	5.67
0.60	4.44	4.00
0.50	6.02	3.00
0.40	7.96	2.33
0.30	10.46	1.86
0.20	13.98	1.50
0.10	20.00	1.22
0.09	20.92	1.20
0.08	21.94	1.17
0.07	23.10	1.15
0.06	24.44	1.13
0.05	26.02	1.11
0.04	27.96	1.08
0.03	30.46	1.06
0.02	33.98	1.04
0.10	40.00	1.02
0.00		1.00

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芯朴科技 Ruggedness 

测试标准

环境搭建示意图

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芯朴科技 Ruggedness 

4G PA Test Case

Test Plan
Mode	VSWR
Mag	10:1
Prated (dBm)	28
Phase	0～360/15
Freq	824,875,925
Vcc	4.6V
VBAT	4.6V
Pin	绝对值功率
Signal	FDDLTE_QPSK_5MHZ_1R
Hold	1
Temp	-40℃  25℃  85℃

频点选取频段高中低三个频点，VSWR选择10:1，phase每隔15度测试一次，总共360度，Vbatt=Vcc设置到4.6V(特殊项目特殊设置)，Pout=Prated时开始定出Pin，然后Pin 选择1dB step开始往上推，推到PA发生异常为止。测试5pcs产品选取最低值，作为最后的测试结果输出。

量产后会在前十个批次根据不同频段每个频段选择3pcs进行抽测，对量产产品进行持续的监控，确保产品ruggedness性能稳定可靠。

目前芯朴科技把ruggedness测试作为研发首要标准进行把控，是产品能否量产的第一条红线，这充分彰显芯朴科技将品质提升至优于行业标准的信心，展示了芯朴科技在ruggedness技术研发实力。

审核编辑：刘清